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电力电子技术试题及答案王兆安第一套.doc

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电力电子技术试题及答案王兆安第一套.doc

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电力电子技术试题及答案王兆安第一套.doc

文档介绍

文档介绍:电力电子技术试题及答案王兆安第一套
考试试卷一
一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)
1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、率晶体管的饱和深度 D、保护器件
7、直流斩波电路是一种( )变换电路。
A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC
8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )
A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )
A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下
10、IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO
三、简答题(共3小题,22分)
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。(7分)

2、电压型逆变电路的主要特点是什么?(8分)
3、简述实现有源逆变的基本条件,并指出至少两种引起有源逆变失败的原因(7分)
四、作图题(共 2 小题,每题12分,共24分)
1、三相全控桥,阻感负载,主回路整流变压器的接法是D,y5,采用NPN管的锯齿波触发器,要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后(滞后角为30°)接到触发电路。同步变压器的的接法为Y/Y-10,4接法,如下图所示,选择晶闸管的同步电压。(要给出分析过程,分析依据)
晶  闸  管
VT1
VT2
VT3
VT4
VT5
VT6
主电路电压
+Uu
-Uw
+Uv
-Uu
+Uw
-Uv
同 步 电 压
 
 
 
 
 
 
 
2、电路与波形如图所示。(1)若在t1时刻合上K,在t2时刻断开K,画出负载电阻R上的电压波形;(2)若在t1时刻合上K,在t3时刻断开K,画出负载电阻R上的电压波形。(ug宽度大于3600)。
(a)电路图 (b)输入电压u2的波形图
五、计算题(共 1 小题,共20分)
1、电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大电感负载,R=4Ω,U2=220V。
(1)触发角为60°时,(a) 试求Ud、Id、晶闸管电流平均值IdVT、晶闸管电流有效值IVT、变压器副边电流有效值I2;(b)作出ud、id、iVT2、i2 的波形图(图标清楚,比例适当)。
(2)当负载两端接有续流二极管时,(a)试求Ud、Id、IdVT、IVT、IVD、IdVD 、I2;(b)作出ud、id、iVT2、iVD、i2 的波形图(图标清楚,比例适当)。
第一套题答案!
一、填空题(共8小题,每空1分,共20分)
1、空1 信息电子技术
2、空1 开关;空2 开关
3、空1 载波比;空2 同步;空3 分段同步
4、空1 冲量;空2 形状
5、空1 MOSFET;空2 GTO;空3 IGBT
6、空1 ;空2
7、空1 有源;空2 无源
8、空1 VD1;空2 V1;空3 VD2;空4 V2;空5 VD1
二、选择题(共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)
1、(B) 2、(D) 3、(C) 4、(C) 5、(D)
6、(A) 7、(C) 8、(B) 9、(A) 10、(B)
三、简答题(共 3 小题,共22分)
1、(7分)
晶闸管导通的条件是:阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。(3分)
使导通了的晶闸管关断的条件是:使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值-维持电流IH以下。其方法有二:
(1)减小正向阳极电压至某一最小值以下,或加反向阳极电压;(2分)
(2)增加负载回路中的电阻。(2分)
2、(8分)
(1) 直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动;(2分)
(2) 输出电压为