文档介绍：.. 电子技术复****题一、填空 (空穴);N型半导体中的多数载流子是(自由电子)。 2 .半导体二极管具有单向导电性。加(正)向电压时导通;加(反)向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为( )~( )V; 锗二极管的正向导通电压为( )~( )V。 U Z =5V ,最大耗散功率 P ZM =100mW ,则其最大稳电流 I ZM=(20) mA 。 4 .某稳压管的稳定电压 U Z =6V ,最大稳定电流 I ZM =20mA ,则其最大耗散功率 P ZM=( 120 ) mW 。 (基)极、(集电)极和(发射)极三个电极,分别用字母(B)、(C)和( E)表示。、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝ a﹞、﹝ b﹞、﹝ c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝ a﹞工作于(饱和)状态,晶体管﹝ b﹞工作于(截止)状态,晶体管﹝ c﹞工作于(放大) 状态。 ﹝ a﹞所示,其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝ b﹞所示,图中 Q为静态工作点。则晶体管β=( 50),静态 I C=( 2mA ), U CE =5V ,电阻 R B≈(250k Ω),R C=( Ω),最大不失真输出电压 U om=(3V )。 8 .理想运算放大器的理想化条件是 A uo→(∞),r id→(∞),r od→(0) ,K CMRR →(∞)。.. (电流串联)负反馈、(电流并联)负反馈、(电压串联) 负反馈和(电压并联)负反馈四种类型。 :( 1)相位条件,即必须是(正) 反馈;(2)幅值条件,即?FA u(1)。采用(电阻和电容)为选频电路的称为 RC 正弦波振荡电路;采用(电感和电容)为选频电路的称为 LC 正弦波振荡电路。 U。单相半波整流电路整流电压的平均值为( )U ,二极管承受的最大反相电压为( )U ;单相全波整流电路整流电压的平均值为() U, 二极管承受的最大反相电压为() U; 单相桥式整流电路整流电压的平均值为( ) U ,二极管承受的最大反相电压为( )U。 0出 1,全 1出 0是( )门的逻辑特点。 BAAY??化简后的结果为 Y=()。 ( 27) 10转换为二进制数为( )。二、选择 1 .附图所示电路的二极管是理想器件, AO 两端的电压 U AO 为( C)。 . -10V C. -4V 10V AO 5kΩ ,二极管 D 1、 D 2、 D 3的工作状态为( B)。 A. D 1、 D 2截止, D 3导通 B. D1 导通, D2 、 D3 截止 1、D 2、 D3 均导通 1、D 2、 D3 均截止 ,二极管 D 1、D 2、D 3的工作状态为( A)。 1、D 2截止, D 3导通 , D2、D3截止 1、D 2、D3均导通 1、D 2、D3均截止.. ,稳压管 DZ 1和 DZ 2 的稳定电压分别为 5V 和 7V ,则 U O= (A)。 A. 5VB. 7V C. 0V ,稳压管 DZ 1和 DZ 2的稳定电压分别为 5V 和7V ,正向压降忽略不计,则 U O=(B)。 6. NPN 型晶体管处于放大状态的条件是各级电位( A)。 A. V C> V B> V EB. V C< V B< V EC. V C> V B< V E 7. PNP 型晶体管处于放大状态的条件是( B)。 C>V B>V C<V B<V C>V B<V E ( B)。所示的差分放大电路的电压放大倍数 A d= i ou u 为( A)。 A. be Cr R?? B. be Cr R? C. be C2r R?? D. be C2r R?.. 10. OTL 功率放大电路的低频响应( )。 OCL 功率放大电路好 OCL 功率放大电路差 OCL 功率放大电路一样好 11. OCL 功率放大电路的低频响应( A)。 OTL 功率放大电路好 OTL 功率放大电路差 OTL 功率放大电路一样好 , I L=( C)。 A. L IR U B. 2 IR U C. 1 IR