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第三部分****题与解答<br****题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓
度则与温度有很大关系。
2、当P电容。
综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电
容；PN结反偏时，扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积
成正比。与普通电容相比，PN结电容是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。<br****题2
客观检测题
一、填空题
1、半导体二极管当正偏时，势垒区变窄,扩散电流大于漂移电流。
2、在常温下，硅二极管白^门限电压约―06_V,导通后在较大电流下的正向压降约07
V;错二极管的门限电压约―01—V,。
3、在常温下，〜2V,高干硅二极管的门限电压;
考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在5〜10mA。
4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为普通（稳
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压）二极管。请写出这种管子四种主要参数, 向电流和极间电容。
分别是最大整流电流、反向击穿电压、反
二、判断题
1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a）。

2、PN结反向偏置电压的数值增大,

3、稳压二极管是利用 PN结的（

但小于击穿电压，（c ）。

d ）。

4、二极管的反向饱和电流在
20c时是5^A,温度每升高10C,其反向饱和电流增大一倍,
当温度为40c时，反向饱和电流值为（c

5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（b）。

三、问答题
1、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？
答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度
对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数载
流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大。
2、？为什么？
答：根据二极管电流的方程式
qV/KT
=Ise-1
将V=：
121500/26121500/26
I=2010e-12010e
1500
lgI^lg20-12Ige=
26
故I=
虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用，但过大的电流定会烧
坏二极管或是电池发热失效，因此应另外添加限流电阻。
3、有A、B两个二极管。%,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的性能较好？
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答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。
4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？
答：能实现稳压，二极管应该正向偏置，;因此硅二
极管的正向特性，可以实现稳压，。
5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？
答：齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，其空间电荷区较窄，击穿电压
较低（如5V以下），一般反向击穿电压小于4Eg/q（Eg—PN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。
发生齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN结才能达到。击穿后
并不意味着PN结损坏，当加在稳压管上的反向电压降低以后，管子仍然可以恢复原来的状态。但是反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率时，就可能由电击穿变为热
击穿，而造成永久性的破坏。电击穿PN结未被损坏，但是热击穿PN结将永久损坏。
主观检测题