文档介绍：第四章版图设计基础
版图(Layout)是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，它包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。集成电路制造厂家根据这些信息来制造掩膜。
版图设计的概金属线条熔断，造成断路现象
接触孔层和通孔层
接触孔包括有源区接触孔（Active Contact）和多晶硅接触孔（poly contact）
有源区接触孔用来连接第一层金属和N+或P+区域，在版图设计中有源区接触孔的形状通常是正方形。
应该尽可能多地打接触孔，这是因为接触孔是由金属形成，存在一定的阻值，假设每个接触孔的阻值是R，多个接触孔相当于多个并联的电阻
多晶硅接触孔：用来连接第一层金属和多晶硅栅，其形状通常也是正方形
通孔：用于相邻两金属层的连接，其形状也是正方形。在面积允许
的情况下应尽可能多的打通孔
在版图设计中，接触孔只有一层，而通孔可能需要很多层。连接
第一层和第二层金属的通孔表示为V1，连接第二层和第三层金属的
通孔表示为V2
文字标注层
用于版图中的文字标注，目的是方便设计者对器件、信号线、电源线、地线等进行标注，便于版图的查看，尤其是在进行验证的时候，便于查找错误的位置。在进行版图制造的时候并不会生成相应的掩膜层
焊盘层
提供芯片内部信号到封装接脚的连接，其尺寸通常定义为绑定导线需要的最小尺寸
N well
active
poly
P+ implant
N+ implant
omicontact
metal
A PMOS Example
Nwell
Nwell
Active
Poly
P+ implant
N+ implant
Omicontact
Metal
P－type Si
SiO2
光刻胶
光
MASK Pwell
P－type Si
SiO2
光刻胶
光刻胶
MASK Pwell
P－type Si
SiO2
光刻胶
光刻胶
SiO2
P－type Si
SiO2
SiO2
N well
N well
active
N well
Active
Poly
P+ implant
N+ implant
Omicontact
Metal
P－type Si
SiO2
N well
SiO2
光刻胶
MASK active
MASK Active
Si3N4
P－type Si
SiO2
N well
SiO2
光刻胶
光刻胶
MASK active
MASK Active
Si3N4
P－type Si
SiO2
N well
SiO2
光刻胶
光刻胶
Si3N4
P－type Si
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧
场氧
N well
Si3N4
P－type Si
SiO2
Pwell
场氧
场氧
场氧
N well
P－type Si
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧
场氧
N well
poly
active
N well
poly
N well
Active
Poly
P+ implant
N+ implant
Omicontact
Metal
P－type Si
SiO2
Pwell
SiO2
MASK poly
场氧
场氧
场氧
N well
poly
光刻胶
P－type Si
SiO2
Pwell
SiO2
MASK poly
场氧
场氧
场氧
N well
光刻胶
poly
P－type Si
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧