文档介绍：磁阻效应大物实验
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一、实验背景
导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化这样一个规律，称为磁阻效应。利用磁阻效应制成的器件叫做磁阻器件。
磁阻器件有很多的优点：体积小、灵敏度高、抗干6页哦
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五、实验内容
1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。作ΔR/R(0)～B和ΔR/R(0)～B2的关系曲线，并进行曲线拟合。找出B<>/ R（0）与B的函数关系。（实验时注意GaAs和InSb传感器工作电流应调至1mA）。
2、用磁阻传感器测量一个未知的磁场强度，与毫特计测得的磁场强度相比较，估算测量误差。
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六、实验步骤
仪器开机前须将IM调节电位器、Is电流调节电位器逆时针方向旋到底。
1、信号源的“IM直流源”端用导线接至测试架的“励磁电流”输入端，红导线与红接线柱相连，黑导线与黑接线柱相连，如图4所示。调节“IM电流调节”电位器可改变输入励磁线圈电流的大小，从而改变电磁铁间隙中磁感应强度的大小。
2、将实验仪信号源背部的二芯话筒通过专用的二芯话筒线接至测试架的工作电压输入端，这是一路提供继电器工作的12V直流控制电源，作为继电器的控制电压。红的香蕉插接红接线柱，黑的香蕉插接黑接线柱。
3、信号源上“Is直流恒流源”输出用导线接至工作电流切换继电器K1接线柱的中间两端，红导线与红接线柱相连，黑导线与黑接线柱相连。如图4所示。
4、信号源的“信号输入”两端用导线接至输出信号切换继电器K2接线柱的中间两端，红导线与红接线柱相连，黑导线与黑接线柱相连。如图4所示。
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5、将继电器K1接线柱的下面两端与继电器K2接线柱的下面两端相连，红导线与红接线柱相连，黑导线与黑接线柱相连。如图4所示。
6、将锑化铟（InSb）磁阻传感器（蓝、绿引出线）的两端与工作电流切换继电器K1接线柱的下面两端相连，红的香蕉插接红接线柱，黑的香蕉插接黑接线柱。即蓝引出线接至红接线柱，绿引出线接至黑接线柱。如图4所示。
7、砷化镓（GaAs）霍尔传感器的的四引出线按线的长短已分成两组，红、棕为一组（为工作电流输入端），黄、橙为一组（为霍尔电压输出端），红、棕这一组线接至工作电流切换继电器K1接线柱的上面两端，黄、橙这一组线接至输出信号切换继电器K2接线柱的上面两端。红的香蕉插接红接线柱，黑的香蕉插接黑接线柱，如图4所示。
8、确认接线正确完成后，打开交流电源，将信号源及测试架的切换开关都处于按上状态，这时将测试架上取出的霍尔电压信号输入到信号源，经内部处理转换成磁场强度由表头显示。
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9、，然后调节IM=0mA，记下零点误差B0=？mT。
10、调节IM使磁场强度显示为B'=（10+B0）mT，（20+B0）mT......按下信号源及测试架上的切换开关，测量并记录该磁场强度下对应的磁阻电压。注意：。参考表1。【B'在100mT以内每增加10mT测一组数据，大于100mT后每增加50mT测一组，直到500mT附近为止】。
11、根据表一所记录的数据在整个区间作出ΔR/R(0)～B曲线并在B< ΔR/R(0)～B2曲线，并在B<>：
ΔR/R（0）=f（B）。
13、调节IM=, Is=，使电磁铁产生一个未知的磁场强度。测量磁阻传感器的磁阻电压，求R（B）后得ΔR/ R（0）=[R（B）－R（0）]/R（0）并从ΔR/R(0)～B曲线上求得磁场强度B.
14、用仪器所配的毫特计测量该磁场强度，将测得的磁场强度作为准确值与磁阻传感器测得的磁场强度值与相比较，估算相对误差E。
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电磁铁
InSb
B~△R/R（0）对应关系
IM/mA
UR/mV
B’/mT
（毫特计读数）
B=B’-B0/mT
R/Ω
△R/R（0）
B2
0

0

0
17

10

33

20

每增加10mT测一组
151

227