文档介绍：晶体三极管
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晶体三极管
主要内容
分类
结构
放大原理
伏安特性曲线
含三极管电路分析
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认识晶体管
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一、三极管的分类：
按材集的电子数目之和。
集电区电流IC占了发射区电流IE的绝大部分，基区电流IB只占IE的极小部分。
IC>>IB
三极管的电流放大特性：为三极管输入回路提供一个很小的电流IB，便可在其输出回路得到一个大电流IC。
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对于一只三极管，它的基区厚度和杂质浓度已定，因此IC与IB之间保持一定的比例关系，两者之比称为电流放大系数。
集电区直流电流IC与基区直流电流IB的比值称为直流放大系数：
集电区电流的变化量与基区电流的变化量的比值称为交流放大系数：
4. 电流放大系数
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四、 三极管的特性曲线
iB=f(vBE) vCE=const
(2) 当vCE≥1V时
vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
(1) 当vCE=0V时
相当于发射结的正向伏安特性曲线。
1. 输入特性曲线
（以共射极放大电路为例）
图
vCE = 0V
vCE = 0V
vCE 1V
+
-
b
c
e
共射极放大电路
VBB
VCC
vBE
iC
iB
+
-
vCE
(3) 输入特性曲线的三个部分
①死区
③线性区
②非线性区
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截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， 发射结反偏,集电结反偏.
2. 输出特性曲线
饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏
iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。
饱和区
截止区
放大区
+
-
b
c
e
共射极放大电路
VBB
VCC
vBE
iC
iB
+
-
vCE
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1. 三极管的等效模型
①当满足发射结反偏，集电结也反偏时
三极管工作在截止区，则有IB=IC=IE=0
共射输入端口和输出端口都相当于开路
②当满足发射结正偏，集电结也正偏时
三极管工作在饱和区，，,因此在数字系统中看成是低电平。
五、 含三极管的电路分析
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③当满足发射结正偏，而集电结反偏时
三极管工作在放大区，此时无论共射输出端口的电压UCE为多少，IC都不会随UCE变化而变化，IC只跟IB有关，即
IC=βIB
此时三极管的输出端口可等效为数值是IC的受控电流源
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①首先判断三极管的发射结的偏置状态
如果反偏，且集电极也反偏，就按照截止时的等效电路去求解待求量。
含三级管的电路分析方法：
②如果发射结是正偏的，结电压可根据材料不同做如下估算：
硅三极管：UBE≈
锗三极管：UBE≈
根据输入回路的KVL计算基极电流IB
③假设三极管工作在放大区，根据电流放大关系计算IC
IC=βIB
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④根据输出回路的KVL计算三极管的输出电压UCE，并根据计算结果判断三极管真实的工作状态，即
UCE> 放大区
UCE< 饱和区
⑤根据三极管真实的工作状态，确定相应的等效电路，计算待求量。
工作在截止区时，三极管BE端口和CE端口都开路
工作在放大区时，三极管CE端口等效为数值是IC的恒流源
工作在饱和区时，三极管CE端口等效为短路（）
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【】试根据下图所示管子的对地电位，判断管子处于哪一种工作状态，是硅管还是锗管？
(a)
(b)
解： （a）npn型三极管：
发射结正偏，集电结也正偏
三极管工作在饱和状态
（b）pnp型三极管：
发射结正偏，集电结反偏
三极管工作在放大状态
，可知
三极管为硅管
，可知三极管为锗管
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【】在如图所示的电路中，已知VCC=12V，硅三极管的 ，饱和时UCE≈0，电阻Rb=47kΩ，
Rc=3kΩ,当①UI= - 2V②