文档介绍：-
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多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺
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1．概述
硅是地球上含量最丰富的元素之～，约占地壳质量的25．8％，仅次于氧元素，居第二位。硅在地球-
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多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺
(
1．概述
硅是地球上含量最丰富的元素之～，约占地壳质量的25．8％，仅次于氧元素，居第二位。硅在地球上不存在单质状态，根本上以氧化态存在于硅酸盐或二氧化硅中，其表现形态为各种各样的岩石，如花岗岩、石英岩等。
硅是一种半导体元素，元素符号为Si，位于元素周期表的第三周期第四主族，原子序数为14，。*1022／cm。，熔点为141 5℃，沸点为2355 ℃
它在常温(300K)下是具有灰色金属光泽的固体，属脆性材料。
硅材料有多种形态，按晶体构造，可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。
单晶硅材料，是指硅原子在三维空间有规律周期性的不问断排列，形成一个完整的晶体材料，材料性质表达各向异性，即在不同的晶体方向各种性质都存在差异。
多晶硅材料，是指由两个以上尺寸不同的单晶硅组成的硅材料，它的材料性质表达的是各向同性。
非晶硅材料，是指硅原子在短距离有序排列、而在长距离无序排列的硅材料，其材料的性质显示各向同性。
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通常硅晶体的晶体构造是金刚石型，有9个反映对称面、6条二次旋转轴、4条三次旋转轴和3条四次旋转轴，其全部对称要素为3L44LS6L 9PC。，硅晶体就会发生构造变化，由金刚石型构造转变为面心立方构造，。
硅材料是应用最广泛的元素半导体材料，具有其他元素不具有的一些特性， 2eV，*10 D／cm。。硅材料具有典型的半导体电学性质。硅材料的电阻率在10 ～1010&*937;&*183;cm 间，导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性
其导电性受杂质、光、电、磁、热、温度等环境因素的影响明显。高纯无掺杂的无缺陷的硅晶体材料，称为本征半导体，其电阻率在10 &*937;&*183;cm以上。
P-N构造性。即N型硅材料和P型硅材料结合组成PN结，具有单向导电性等性质。这是所有硅半导体器件的根本构造。
光电特性。和其他半导体材料一样，硅材料组成p—N结后，在光的作用下能产生电流，如太阳能电池。
2．高纯多晶硅
目前高纯多晶硅的大规模生产，被美国、日本和德国等少数兴旺国家所垄断。当前世界多晶硅的主要供给商有Hemlock W acker M EMC ASiMi Tokuyama KomatsuMitsubishi、SEH等公司。
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冶金级硅是制造半导体多晶硅的原料，它由石英砂(二氧化硅)在电弧炉中用碳复原而成。尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见，但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。
一般说来，要求矿石中二氧化硅的含量应在97％～98％以上，并对各种杂质特别是***、磷和