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cmos模拟集成电路设计 实验报告.docx

上传人:amilus 2022/3/20 文件大小:765 KB

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cmos模拟集成电路设计 实验报告.docx

文档介绍

文档介绍:北京邮电大学
实验报告
实验电压增益 AV 为:
β1= β2= β=μnCOX(W/L)
四、实验结果
1、电路图
2、幅频特性曲线
3、MOS 管宽长比和电阻大小变化对应的放大倍数
放大倍数
MOS 管沟道宽长比
Av/dB
10
15
20
30
40
60

20k





18

30k
19





R/Ω
40k






改变 W/L 和栅极电阻,可以看到, R 一定时,随着
W/L 增加,增益增加,
W/L 一定时,随着 R 的增加,增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道,这
会限制带宽,所以在增大沟道宽长比的时候,要注意带宽是否满足条件。随着
W/L 增大时,带宽会下降。为保证带宽, 选取 W/L=60,R=30k的情况下的数值,最终实现了带宽约为 200MHz-300MHZ,可以符合系统的功能特性。
五、思考题
根据计算公式,为什么不能直接增大 R 实现放大倍数的增大?
答: 若直接增加 Rd,则 Vd 会增加,增加过程中会限制最大电压摆幅;
如果 VDD— Vd=Vin—VTH,那 MOS 管处于线性区的边缘,此时仅允许非常
小的输出电压摆幅。即电路不工作。此外, RD 增大还会导致输出结点的时间常
数更大。
实验三:电流源负载差分放大器设计
一、实验目的


二、实验内容
,电压放大倍数大于 30dB;
、调试;
,并对测量结果进行验算和误差分析。
三、差分放大器的设计方法
1、确定放大电路(选择场效应管)
2、手工计算场效应管的直流转移特性曲线, 并将特性曲线描绘在方格纸上,
在曲线上确定出 MOS 管的饱和区,确定输入电压、输出电压的范围。
3、确定静态工作点 Q。
4、确定电路中的其他参数。
5、调整静态工作点:可以修改场效应管的 W。
四、实验原理
电流镜负载的差分对
传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载的差分对。如上图所示。
NMOS器件 M1 和 M2 作为差分对管, P 沟道器件 M4, M5 组成电流源负载。电
流 0I 提供差分放大器的工作电流。如果 M4 和 M5 相匹配,那么 M1 电流的大小就决定了 M4 电流的大小。这个电流将镜像到 M5。
如果 VGS1=VGS2,则 Ml 和 M2 的电流相同。这样由 M5 通过 M2 的电流将等于是 IOUT为零时 M2 所需要的电流。如果 VGS1>VGS2,由于 I0=ID1+ID2,ID1
相对 ID2 要增加。 ID1 的增加意味着 ID4 和 ID5 也增大。但是,当 VGS1变的比VGS2大时, ID2 应小。因此要使电路平衡, IOUT必须为正。输出电流 IOUT 等于差分对管的差值, 其最大值为 I0。这样就使差分放大器的差分输出信号转换成单端输出信号。反之如果 VGS1<VGS2,将变成负。
假设 M1 和 M2 差分对总工作在饱和状态,则可推导出其大信号特性。描述大信号性能的相应关系如下:
式(7-1)中, VID 表示差分输入电压。
上面假设了 M1 和 M2 相匹配。将式 (7-1)代入 (7-2)中得到一个二次方程,可得出解。
上图