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北京邮电大学电子电路基础课后剖析.doc

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北京邮电大学电子电路基础课后剖析.doc

上传人:雨林书屋 2022/3/21 文件大小:3.51 MB

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北京邮电大学电子电路基础课后剖析.doc

文档介绍

文档介绍:第一章思考题与习题
第一章思考题与习题
?为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的?
+UD=4V
2.
Uo=UZ2+UD=4V
3.
Ui=3V时,D2
反向不导通,Uo
=3V
(b)
1.
D1、D2均反向导通,Uo=UZ2+UZ1=
反向不导通,Uo=6V
Uo=3V
(c)
1.
D1、D2均正向导通,Uo=UD+UD=
2.
Uo
=UD+UD=
3.
Uo
=UD+UD=
(d)
1.
D2反向导通,
D1
不导通,Uo
=
2.
D2反向导通,
D1
不导通,Uo
=
3.D1、D2
均不导通,Uo=3V

P1-7(a)所示电路,设稳压二极管导通电压
UD=,稳压值
UZ=
,输入电压波形如图
P1-7(b)所示,试画出输出
uo的波形。
R
ui
6V
+D1
+
t
ui
uo
0
(ms)
D2
-6V3
图P1-7(a)图P1-7(b)
第一章思考题与习题
解:uo
4V
t
0(ms)
-4V
-8各电路中所测的电压值判断三极管的工作状态(放大、饱和、截止和损坏)。
12V
-12V
12V
RC
RC
RC
Rb
-
Rb
12V
Rb
6V
-
-5V



-6V
6V
2V
RE
RE
(a)
(b)
(c)
-12V
12V
-12V
RC
RC
RC
Rb
-12V
Rb
12V
Rb
-6V
-2V
0V
-
-2V
2V
-2V
(d)
(e)
(f)
图P1-8
解:(a)发射极正偏压,集电极反偏压,IC不为零,是放大状态;
发射极正偏压,,为饱和状态;
发射极正偏压,集电极反偏压,IC为零,而IE和IB不为零,损坏状态;
(d)发射极正偏压,集电极反偏压,但IC和IB为零,损坏状态;
(e)发射极无偏压,集电极反偏压,为截止状态;
发射极正偏压,集电极反偏压,为放大状态。

I
(mA)
C
图P1-9所示,试确定该三极
4
40uA
管的直流和交流放大倍数。
3
30uA
解:直流放大倍数=IC/IB=100
2
20uA
交流放大倍数=iC/iB=100
1
10uA
IB=0
0
UCE
36912(V)
图P1-9
4
第一章思考题与习题
-10电路中所测的电压值,试分别计算三极管的基极电流
IB、集
电极电流IC和放大倍数β值。
12V
-10V
2k
Rb
5k
-5V
43k
6V

-3V
-
-
2V
1k
(a)
(b)
图P1-10
解:(a)IB=(2-)V/43K=30uA
IC=(12-6)/2=3mA
β=IC/IB=100
IE=(0+)/1==(-5+10)/5=1mA
β=IC/IB=IC/(IE–IC)=100
5
第二章思考题与习题
第二章思考题与习题
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