凝聚态物理2隧穿晶体管 刘强.ppt

文档介绍：隧穿晶体管( TFET )—高能效电子开关报告人:刘强院系: 理学院物理系导师: 任伟教授日期: 主要内容 2016-12-23 2 2016-12-23 3 原理阐述 G N+ N+ P掺杂 N- G N+ P++ 关断状态关断状态加栅极电压加栅极电压 2016-12-23 4 原理阐述?? dec / mV 60 q kT C1q kT lgd dV SS ox d d g?????????????对 MOS 管来说 G N+ N+ dC oxC 特点: ; 。对 TFET 来说??) (lg )(dI lgd dV SS d gdId q E??? 2016-12-23 5 原理阐述 dE EfEfETh qI vc csEE ds ds???)]()( )[( 2??)E3 24 exp( )(T g 2 3 ???????q Em E gT?特点: ; ,需要: ?????? g 2 3E3 24?q Em gT? 2016-12-23 6 增大的方法?? 2016-12-23 7 增大的方法?? : 可以保证继续减小栅长 2016-12-23 8 减小λ的方法 ; : 环栅、小的体厚; 。 Eg N- G N+ P++ 在几纳米内分出 4、5个浓度数量级无掺杂区域λ1 2016-12-23 9 漏电流的产生漏电流的产生: 降低掺杂浓度 2016-12-23 10 III-V 族半导体栅极电压 Vg 如何有窄的 Eg 和有效质量较小的载流子? Group III-V-semiconductor-based TFETs Si、 Ge 是间接带隙半导体,而 GaAs 、 InAs 、 InSb 等是直接带隙半导体,可以提供较高的迁移率。