文档介绍：石墨烯根底材料的光电特性
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在这研究报告中,石墨烯根底材料的光电性能被调查,特别是研究具有氧化石墨单层的就被Bro die 〔hene
Fijjure 2-2. Sim pic schematic of field el'teci transislor made from grap hene.
石墨烯的栅极依赖关系总结在图表2-3,在图中可以看出,电阻率的变化取决于提供的 (无论是积极的还是消极的). 比照单壁的碳纳米管的栅极依赖关系,-4所示, 通过增加栅极电压,单壁碳纳米管的导电率被减少,由于只含有空穴载流子,所以石墨烯被 ,石墨烯同时表现出P型和S型半导体的特征,这被理解为材料同时带有空穴和电子,这些可以被提供的栅极电压限制,当温度降低时,栅极电压的影响变得越来越明显.
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Figure 2-3. E卄of the electric field at three ditterent temperatures, (5〉70, and 300 K
tor top to bottom curves, respecUvcIy)
10-6
10-9
10“ 2
Figure 2-4. Eftcct of the electric field of semi-conducting single wall carbon nanotube.
-6 -3 0 3 6 9
Vgate (V)
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图表2-5还总结了石墨烯的英他的方而性质,如图2・5(a)所示,薄片的厚度增加,栅极偏苣效果消央, ,电场影响在低温下(-4K)提供一个磁场的情况下可以量子化(量子霍尔效应)(QHE).,许多人认为这是一个凝聚物质物理学的新分支,在过去的几年里,世界徉地的研究石墨烯的人员已经眾涨.
IX
(a)
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4」
2
(C)
Figure 2-5, (a) Effect of the electric field for three different thickness of material, (b) I-
V characteristic of graphene with applied gate voltage ' (c) The quantum hall eftect 2. 2石墨烯作为传感材料的应用
利用石墨烯板材的电气性能,你可以考虑把它们作为测量待宦气体分子的传感器的材料,
-6(a)中,栅极效果眾露了半导电单壁碳纳米 , 或者反向运行, 的数量理应会减少电导率,相比之下,