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“曼哈顿”现象的成因与防止措施.pdf

上传人:史湘云 2022/3/23 文件大小:307 KB

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“曼哈顿”现象的成因与防止措施.pdf

文档介绍

文档介绍:“曼哈顿”现象的成因与防止措施

史建卫 1,2,何鹏 1,钱乙余 1,刘世勇 2

图 1 “曼哈顿”现象“曼哈顿”现象产生的根本原因是元件两端受力不平衡所致,当印刷焊膏在焊
盘上时,根据能量最小原理,熔化之后它会自动缩小表面积,减小系统能量。如
果想增加其表面积,那么就要把内部分子移到表面上来,这就会增加表面能。当
焊膏润滑铺展时,所增加的自由表面能为:
A=average(Fs –Fv)·N[1] (1)
其中:average(Fs –Fv)表示表面自由能Fs与体积自由能Fv平均差,N是熔融焊膏
表面的分子总数。
把上式改写:
σ=(Fs –Fv)·n1 (2)
其中:σ表示增加每1㎝2表面所作的功,称之为表面张力;n1表示每1㎝2表面所
含有的分子数。
为了方便起见,上式可写为:
σ=F/S (3)
其中:F表示自由能的变化,S表示表面积的变化。
当放置一元器件时,熔融焊膏的表面就会在靠近元器件端部的部位爬升并发
生弯曲,由拉普拉斯方程可得液面附加压力:
Padd =2σH (4)
其中:H=½(1/R1 + 1/R2)。显然,暴露的表面积不再是1cm2,表面张力也相应
的成比例减小。如果元器件两端熔融焊膏的弯曲程度不一样,那么附加压力就不
一样,表面张力也会不同,“曼哈顿”现象就会产生。
“曼哈顿”现象的因素
除了表面张力的影响外,在实际生产工艺中,“曼哈顿”现象的产生还与众多
因素有关。元器件实际受力模型[2]如图2所示。


图 2 元器件实际受力模型

其中:T1=Mgdcos(α+β)元器件重力
T2=γωcos(α/2)元件下端溶化焊膏的表面张力
T3=γHsin(α+δ)元器件端部圆角处表面张力
T4=LHρgdcos(α+β)惰性气体凝聚物的浮力
T5=Adcos(α+β)焊膏的粘结力
T6=Mvdcos(α+β)传输振动产生的力
T7=Lhρgdcos(α