文档介绍：(1) 强n型
(5-8-25)
(2) 强p型
(5-8-26)
(3) 弱n型(高阻区)
(5-8-29)
(5-8-30)
(4)弱p型
对于强n型和强p型情形寿命实际决定于复合中心对少子的俘获几率Ntrp或Ntrn (参见( 5-8-6)、(5-8-4) ).
空穴俘获,其速率Cp应正比于p和nt
Cp=rppnt (5-8-6)
rpp为被中心俘获的电子与空穴复合的几率. Cn=rnn(Nt-nt) (5-8-4)
rnn应为被中心俘获的空穴和电子复合的几率
式(5-8-29)和(5-8-30)与强n型和强p型的式(5-8-25)与(5-8-26)相比分别多了一个rpp1/rnn0和p1/,,阻碍了复合过程,降低了复合速率,造成了寿命的增加.
(3) 弱n型(高阻区)
(5-8-29)
(5-8-30)
(4)弱p型
(5)本征情形
,该图说明在复合中心的种类及相应的浓度保持不变的情形下,少子寿命。实验结果大体与上述分析一致。
np,即复合中心上的电子数实际上有显著改变. 这时有n+nt=,在此情形下,在ni附近两种载流子的寿命(图中一边是电子寿命,一边是空穴寿命)并不相同.
寿命随温度的变化
设为n型半导体,,费米能级EF的位置要发生变化.
在温度较低时,EF在Et以上,处于强n型区,寿命由式(5-8-25)给出,=1/.
当温度升高,EF变到Et以下时,处于弱n型区,寿命由式(5-8-31)决定,=(1/Ntrp)n1/(杂质完全电离,而本征激发尚未开始),的温度关系由rp和nl的温度关系决定。若略去rp随温度的变化,则由ln-1/T曲线的斜率可确定EcEt的值.
(5-8-14)
当温度继续升高进入本征激发范围,则有

由于EtEi>0,随着T增加,下降. 由实验测得的随温度的变化,图5. 20,大体与上面的分析一致
(5-8-33)