文档介绍：一、填空(每空 1分) 1 、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管 GTR ;图形符号为; 可关断晶闸管 GTO ;图形符号为; 功率场效应晶体管 MOSFET ;图形符号为; 绝缘栅双极型晶体管 IGBT ;图形符号为; IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 2 、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题, 解决的方法是串专用均流电抗器。 4 、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 5 、型号为 KS100-8 的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定有效电流为 100A 。 6、 180 ° 导电型三相桥式逆变电路, 晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而 120 o 导电型三相桥式逆变电路, 晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时, 晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降; 当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9 、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 10 、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-四种。 11、双向晶闸管的触发方式有: I+触发: 第一阳极 T1接正电压, 第二阳极 T 2接负电压;门极 G接正电压, T2接负电压。 I- 触发:第一阳极 T1接正电压,第二阳极 T2接负电压;门极 G接负电压, T2接正电压。Ⅲ+ 触发:第一阳极 T1接负电压,第二阳极 T2接正电压;门极 G接正电压, T2接负电压。Ⅲ- 触发:第一阳极 T1接负电压,第二阳极 T2接正电压;门极 G接负电压, T2接正电压。 12 、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲) 换流。 13 、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。 14 、有一晶闸管的型号为 KK200 -9 ,请说明 KK 快速晶闸管; 200 表示表示 200A ,9表示 900V 。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲; 主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。 16 、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为 220V ,流过晶闸管的大电流有效值为 15A ,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为 V 220 2)(倍?;晶闸管的额定电流可选为 A 57 .1 15 )(倍? 17、普通晶闸管的图形符号是, 三个电极分别是阳极 A,阴极 K和门极 G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通; 关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流 I H 时,导通的晶闸管关断。 18 、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0 o— 180 o 变化,在阻感性负载时移相范围在φ— 180 o 变化。 19 、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。 20、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α、变压器漏抗 X B、平均电流 I d、电源相电压 U 2 等到参数有关。 21 、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于 60 o小于 120 o 的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差 60 o 的双窄脉冲触发。 22、在同步电压为锯齿波的触发电路中, 锯齿波底宽可达 240 o度; 实际移相才能达 0 o -180 o度。 23 、异步电动机变频调速时,对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差劲频率控制、矢量控制、直接转矩控制。 24 、软开关电路种类很多,大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。 25 、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极, 以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。 26、双向晶闸管的图形符号是, 它的三个极分是第一阳极 T1、第二阳极 T2、和门极 G。 27 、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为√ 2U2 。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。(电源电压为 U2) 28 、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角, 用α表示。 29、正弦波触发电路的理想移相范围可达 180 o、度, 实际移相范围只有 150 o。 3