文档介绍：第一章半导体器件 半导体的特性 半导体二极管 双极型三极管( BJT ) 场效应三极管 半导体的特性 1. 导体: 电阻率?< 10 ?4?· cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 2. 绝缘体: 电阻率?> 10 9 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 3. 半导体: 导电性能介于导体和半导体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅( Si) 和锗( Ge )。半导体导电性能是由其原子结构决定的。 硅原子结构(a)硅的原子结构图最外层电子称价电子价电子锗原子也是 4 价元素 4 价元素的原子常常用+ 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。+4 (b)简化模型 1. 半导体中两种载流子带负电的自由电子带正电的空穴 2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现, 称为电子- 空穴对。 3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用n i和p i 表示,显然 n i = p i。 4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动会达到平衡,载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关,它随着温度的升高,基本按指数规律增加。 杂质半导体杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体一、 N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷、锑、***等,即构成 N 型半导体( 或称电子型半导体)。常用的 5 价杂质元素有磷、锑、***等。自由电子浓度远大于空穴的浓度,即 n >> p 。电子称为多数载流子( 简称多子), 空穴称为少数载流子(简称少子)。