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直流激励时霍尔传感器位移特性实验.doc

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直流激励时霍尔传感器位移特性实验.doc

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直流激励时霍尔传感器位移特性实验.doc

文档介绍

文档介绍:感谢你的观看
华南师范大学实验报告
实验项目:直流激励时霍尔传感器位移特性实验
一、实验目的:
了解霍尔式传感器原理与应用。
二、基本原理:
金属或半导体薄片置于磁场中
七、实验报告要求:
1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。
实验数据如下:
表9-2
X(mm)









V(mv)729
523
347
177
85
-80
-235
-354
-465
-575
V-X曲线如下:
谢谢观赏
感谢你的观看
V-X曲线
800
600
400
200
V
V(mv)
0
X(mm)
-200
-400
-600
-800
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V(mv)
729
523
347
177
85
-80
-235
-354
-465
-575
X(mm)




1




2
X
根据上图和实验数据,在X
[,]区间,霍尔传感器的灵敏度为:
729
177
;在X[,]
区间,霍尔传感器的灵敏度为:
k
920


235
575
k
567。


以上曲线本着出于方便,利用
Excel软件直接生成的,下面将利用最小二乘
法拟合更加符合实验数据处理的
V-X曲线。
在这里,直接利用最小二乘法的结论:VabX,其中
K
K
K
K
2
xi
xiyi
yi
xi
a
i1
i1
i1
i
1
K
K
2
(
xi)2
K
xi
i
1
i1
感谢你的观看
KKK
xi
yi
K
xiyi
b
i1
i
1
i
1
K
K
2
(
xi)2
K
xi
i
1
i
1
计算a、b(利用表2数据)
K
+++++++++=11
1
10
*729+*523+*347+*177+*85+*(-80.)+*(