文档介绍：微电子学专业实验介绍
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《微电子学专业实验》是按照我院新办专业“微电子学专业”的培养方案及教学计划要求，设置的一门重要专业实验课程。该课程是微电子学专业本科学生必修的一门专业实验课，是理022年，星期六
实验内容
1、用长条法测试矩形样品(n-si)的ρ和RH值。测电阻率时（磁场强度B=0）、，测霍尔电压时，磁场强度B=2000GS。
2、用范德堡法测Si薄片半导体样品的ρ和RH值。测试条件同上。
3、用EXCEL进行数据处理。
实验二 半导体霍尔效应
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实验三 用图示仪测量双极型晶体管直流参数
双极型晶体管是集成电路的主要有源器件之一，在电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和使用过程中，都要对其参数性能进行检测。晶体管的直流参数及性能是评价晶体管质量及选择的主要依据。通常采用晶体管图示仪进行测量。
实验目的：了解晶体管特性图示仪的基本工作原理及其使用方法；掌握用晶体管特性图示仪测量晶体管各种特性曲线的方法；掌握用晶体管特性图示仪测量普通二极管、发光二极管、稳压管、三极管、结型场效应管等器件的各种直流参数的方法。
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实验内容
1、整流二极管、发光二极管、稳压管的正、反向特性测试；
2、晶体三极管的测试（分别对NPN、PNP三极管进行测试），包括：
a）三极管的输出特性；
b）饱和压降UCES的测量；
c）反向击穿电压： Bicep、Bvcbo、Bvebo；和反向漏电流的测试；
d）三极管输入特性的测试；
3、结型场效应管（3DJ7为例）直流参数的测试。
实验三 用图示仪测量双极型晶体管直流参数
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实验五 场效应晶体管参数测量
场效应晶体管不同于一般的双极晶体管,它是一种电压控制器件。从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。通常用“FET”表示。
场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。目前多数绝缘栅型场效应管为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。
本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。
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二、实验内容与要求：
1、完成结型场效应管参数的测量。
2、熟悉场效应晶体管主要参数的物理意义及BJ2922B型场效应管参数测试仪的使用方法
实验五 场效应晶体管参数测量
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实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命
半导体材料中的非平衡少数载流子寿命对器件的电流增益、正向压降、开关速度的参数起着决定性作用。
光电导衰减法有直流光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波光电导衰减法，其差别主要在于是用直流、高频电流还是用微波来提供检测样品中非平衡载流子的衰减过程的手段。
本实验采用高频光电导衰退法来测量非平衡少子的寿命。
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实验目的：
1．掌握用高频光电导衰减法测量Si单晶中少数载流子寿命的原理和方法；
2. 加深对少数载流子寿命及其与样品其它物理参数关系的理解。
实验内容：
1、测量3个不同电阻率样品的非平衡少子寿命τ。
2、每个样品测定2－3次，求出平均值，获得Si材料在光照下的∆V~t曲线。
3、对结果进行分析。
实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命
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实验八 p-n 结的显示与结深的测量
在用平面工艺制造晶体管和集成电路时，一般用扩散法制作p-n结。由于扩散杂质与外延层杂质的类型不同，所以在外延层中某一个位置，其掺入杂质浓度与外延层杂质浓度相等，从而形成了p-n结。将p-n结材料表面到p-n结界面的距离称为p-n结结深，一般用Xj表示。由于基区宽度决定着晶体管的放大倍数β、特征频率fT等电参数，而集电结结深Xjc和发射结结深Xje之差就是基区宽度，因此必须了解并掌握测量结深的原理和方法。
测量结深的方法有磨角法、滚槽法，也可以采用阳极氧化剥层法直接计算得出。本实验采用磨角法。
本实验的目的是学会用磨角器磨角法制作p-n 结样片，采用电解水氧化法显示p-n 结；并利用金相显微镜观测结深。
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