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实验三 存储器和总线实验.doc

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实验三 存储器和总线实验.doc

上传人:iluyuw9 2017/2/20 文件大小:60 KB

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实验三 存储器和总线实验.doc

文档介绍

文档介绍:实验三存储器和总线实验一、实验目的 1 、掌握静态随机存储器 RAM 工作特性。 2 、掌握静态随机存储器 RAM 的数据读写方法。二、实验内容按照实验步骤完成实验项目,利用存储器和总线传输数据。三、实验仪器 1、 DAIS-CMH+ 计算机组成原理实验箱一台 2 、排线若干四、实验原理图 1-3 存储器实验原理图实验所用的半导体静态存储器电路原理如图 1-3 所示,该静态存储器由一片 6116(2Kx8) 构成,其数据线(D7~D0) 以8 芯扁平线方式和数据总线(D7~D0) 相连接, 地址线由地址锁存器(74LS273) 给出, 该锁存器的输入/ 输出通过 8 芯扁平线分别连至数据总线接口和存储器地址接口。地址显示单元显示 AD7~AD0 的内容。数据开关经一三态门(74LS245) 以8 芯扁平线方式连至数据总线接口,分时给出地址和数据。 6116 有3 根控制线: CS ( 片选线)、 OE ( 读线)、 WR ( 写线)。当片选有效 CS=0 时, OE=0 时进行读操作, WR=0 时进行写操作。本实验中将 OE 引脚接地, 在此情况下,当 CS=0 、 WR= 1 时进行读操作, CS=0 、 WR=0 时进行写操作,其写时间与 T3 脉冲宽度一致。实验时 T3 脉冲由【单步】命令键产生, 其它电平控制信号由二进制开关模拟, 其中 CE 、 SW-B 、 LDA R 为高电平有效,而 WE 为读/写(W/R) 控制信号,当 WE=0 时进行读操作,当 WE=1 时进行写操作。四、实验连线图 7-6-2 实验连线示意图按图 7-6-2 所示,连接实验电路: ①总线接口连接:用8 芯扁平线连接图 7-6-2 中所有标明“”或“”或“”图案的总线接口。②控制线与时钟信号“”连接:用双头实验导线连接图 7-6-2 中所有标明“”或“”图案的插孔(注: Dais-CMH 的时钟信号已作内部连接)。五、实验内容在闪动的“ P.”状态下按动【增址】命令键,使 LED 显示器自左向右第 4 位显示提示符“L”,表示本装置已进入手动单元实验状态。(若当前处“L”状态,本操作可略)。(一)内部总线数据写入存储器给存储器的 0