文档介绍：半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、UO1≈ UO2＝0 UO3≈－1. （h）不合理。由于G-S间电压将不小于零。
（i）不能。由于T截止。
三、（1）
（2）
四、（1）A （2）C （3）B （4）B
五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D
六、<br****题
e b c 大 大 中 大
c b c 小 大 大 小
b e c 大 小 小 大
（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
；将电容开路即为直流通路，图略。
：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；。
（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√
（9）√ （10）× （11）× （12）√
（1） （2）12V （3） （4）12V （5）12V
（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。
（c）同步浮现饱和失真和截止失真，增大VCC。
（a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同步浮现饱和失真和截止失真
（1）
（2）
空载时，
② ① ② ① ③
③ ② ① ③ ①
③ ③ ① ③ ③
（1）静态及动态分析：
(2) Ri增大，Ri≈；减小，≈－。
Q点：
动态：
图略。
（1）求解Q点：
（2）求解电压放大倍数和输入电阻：
（3） 求解输出电阻：
(1)
(2)
（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性旳交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V旳那条输出特性曲线旳交点为Q点，UDSQ≈3V。
（2）
（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V
（2）求电压放大倍数：
（a）× （b）× （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
（d）× （e）× （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章 多级放大电路
自测题
一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√
二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B