文档介绍：场效应管概述
场效应管 FET (Field Effect Transistor)优点：
(2) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、工艺简单、
功耗小、宜大规模集成。
(1) 输入阻抗高 (107 1015 沟道耗尽型
S
G
D
B
S
G
D
B
三、P 沟道 MOSFET
结构对偶
N 沟道增强型
N 沟道耗尽型
S
G
D
B
P型衬底
N+
N+
S D
G
B
S
G
D
B
iD
iD
iD
iD
MOSFET 伏安特性的比较
N 沟道耗尽型MOSFET
N 沟道增强型MOSFET
2
uGS /V
iD /mA
UGS(th)
O uDS /V
iD /mA
uGS = 8 V
6 V
4 V
2 V
O uDS /V
iD /mA
– 2 V
– 4 V
– 6 V
– 8 V
uGS =
－
– 2 O
uGS /V
iD /mA
UGS(th)
O uDS /V
iD /mA
uGS = 2 V
0 V
-2 V
-4 V
UGS(off)
IDSS
uGS /V
iD /mA
– 4 O
uGS /V
iD /mA
O
4
UGS(off)
IDSS
O uDS /V
iD /mA
4 V
2 V
0 V
– 2 V
uGS =
－
P 沟道耗尽型MOSFET
P 沟道增强型MOSFET
NJFET
PJFET
一、结构与符号
结型场效应管的结构、工作原理及伏安特性
二、工作原理
为耗尽型FET
为得到很大的输入电阻，所加栅源电压要保证PN结反偏。
三、伏安特性
N 沟道结型FET
P 沟道结型FET
O uDS /V
iD /mA
uGS =0V
-1 V
-2 V
-3 V
UGS(off)
IDSS
uGS /V
iD /mA
– 3 O
uGS /V
iD /mA
O
3
UGS(off)
IDSS
O uDS /V
iD /mA
3 V
2 V
1 V
0 V
uGS =
－
当工作于放大区时,
例
有四种场效应管，其输出特性或饱和区转移特性分别如
图所示，试推断它们各为何种类型管子？对增加型管，
求开启电压UGS(th) ；对耗尽型管，求夹断电压UGS ( off )
和饱和漏极电流IDSS 。
解：
N沟道DMOS管
UGS( off ) = -4V，IDSS＝2mA
P沟道EMOS管
UGS( th) = -2V
解续：
N沟道结型场效应管
UGS( off) = -4V，IDSS＝4mA
N沟道DMOS管
UGS( off) = -4V， IDSS＝2mA
作业：
3. 直流输入电阻 RGS
指漏源间短路的状况下，栅、源间加确定电压时的
栅源直流电阻。
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场效应管的主要参数
2. 饱和漏极电流 IDSS
耗尽型场效应管在 uGS = 0 时
所对应的饱和漏极电流。
IDSS
开启电压 UGS(th)(增强型)
夹断电压 UGS(off)(耗尽型)
UGS(th)
UGS(off)
uGS /V
iD /mA
O
4. 低频跨导 gm
反映了uGS 对 iD 的控制能力，
单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS)
uGS /V
iD /mA
Q
O
耗尽型管放大工作时
增强型管放大工作时
IDO是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值
场效应管的主要参数
5. 漏源动态电阻 rds
6. 漏源击穿电压U(BR)DS
饱和时 rds 一般为几十 k ～几百 k
PD = uDS iD
8. 最大漏极功耗 PDM
7. 栅源击穿电压U(BR)GS
场效应管的主要参数
*FET小结
*FET小结
FET 是利用栅源电压变更导电沟道的宽窄来控
制漏极电流的。由于输入电流微小，故称为电压限制
型器件，而BJT则称为电流限制型器件。
FET有耗