文档介绍：《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题2022
一、填空题（30 分=1 分*30 ）10 题/章
晶圆制备
1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。

《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程试题2022
一、填空题（30 分=1 分*30 ）10 题/章
晶圆制备
1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
2．单晶硅生长常用（CZ 法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3 ．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（101 ）、（110 ）和（111 ）。
6．CZ 直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p 型或n 型）的固体硅锭。
7．CZ 直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ 直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。

9．制备半导体级硅的过程：1 （制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3 （提纯）。
氧化
10 ．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。
11 ．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12 ．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13 ．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS 和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的 4 种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16 ．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。
17 ．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
18 ．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。
19 ．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积