文档介绍：第一章 1. 杂质半导体分为(N) 型和(P)型。自由电子是(N) 型半导体中的多子。空穴是(P) 型半导体中的少子。 2. 杂质半导体中的少子因( 本征激发) 而产生, 多子主要因( 掺杂)而产生。 3. 常温下多子浓度等于( 杂质) 浓度, 而少于浓度随( 温度) 变化显著。 4 .导体中的( 扩散) 电流与载流子浓度梯度成正比; ( 漂移) 电流与电场强度成正比。 5 .当(P) 区外接高电位而(N) 区外接低电位时, PN 结正偏。 6, PN 结又称为( 空间电荷区)、( 耗尽层)、( 阻挡层)和( 势垒区)。 7. PN 结的伏安方程为()1( /? TDUuSeI )。该方程反映出 PN 结的基本特性是( 单向导电性) 特性。此外, PN 结还有( 电容) 效应和( 反向击穿) 特性。 8. PN 结电容包括( 势垒) 电容和( 扩散) 电容。 PN 结反偏时, 只存在(势垒) 电容。反偏越大,该电容越( 越小)。 9 .普通 Si 二极管的导通电压的典型值约为( ) 伏,而 Ge 二极管导通电压的典型值约为( ) 伏。 10.(锗) 二极管的反向饱和电流远大于(硅) 二极管的反向饱和电流。 11. PN 结的反向击穿分为( 齐纳) 击穿和( 雪崩) 击穿两种机理。 27 12 .稳压管是利于 PN 结( 反向击穿) 特性工作的二极管。 13 .变容二极管是利于 PN 结( 反向) 特性工作的二极管。 14 .二极管交流电阻 r d 的定义式是( Q D Dd di du r?),r d 的估算式是( D TI U ) ,其中热电压 U T在 T =300K 时,值约为( 26 )mV 。 15 .当发射结正偏,集电结反偏时, BJT 工作在( 放大) 区,当发射结和集电结都( 正偏) 时, BJT 饱和;当发射结和集电结都( 反偏) 时, BJT 截止。 16. 放大偏置的 NPN 管, 三电极的电位关系是( EBCUUU??)。而放大偏置的 PNP 管,三电极的电位关系是( EBCUUU??)。 17 .为了提高β值, BJT 在结构上具有发射区杂质密度( 远远高于) 基区杂质密度和基区( 很薄) 的特点。 CBO 表示( 集电极反向饱和电流), 下标 O 表示( 发射极开路)。I CE O 表示( C-E 间的穿透电流) ,下标 O 表示( 基极开路) 。这两个电流之间的关系是( CBO CEO II??)。 19. 在放大区 i C与 i B 的关系为( CBO BCIii???),对 Si 管而言 i C≈( Bi?)。 20 .共射直流放大系数?与共基直流电流放大系数?的关系是(?????1 )。 21 .在放大区, i E、i C和i B 近似成( 线性) 关系,而这些电流与 u BE 则是(指数) 关系。 22. 放大偏置的 BJT 在集电结电压变化时, 会通过改变基区宽度而影响各级 28 电流,此现象称为( 基区宽度调制效应)。 23 . 一条共射输入特性曲线对应的函数关系是( 常数?? CEu BE Bufi)( ) 。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是( 常数?? Bi CE Cufi)( )。 24. 当温度增加时,?( 增大), I CBO ( 增大), 而共射输入特性曲线( 左移) 使得 U BE 减小。 25. BJT 的三个主要极限参数是( max CI )、( CMP )和( )( CEO BRU )。 26 .交流β的定义式为( 常数?? CEu E Ci i???) ;直流?的定义式为( E CI I??)。 27 .当|β(f)|=1 时的频率称为 BJT 的( 特征频率)。 28. r be 和交流β其实是两个共射 H 参数,它们与混合π参数的关系是 r be =( ebbbrr ???), β=( ebmrg ?)。 29 .引入厄利电压 U A 是为了便于估算反映基调效应的混合π参数( cer ) 和( cbr ?)。 29 第二章 1. 放大器的直流通路可用来求( 静态工作点)。在画直流通路时, 应将电路元件中的( 电容) 开路, ( 电感) 短路。 2. 交流通路只反映( 交流) 电压与( 交流) 电流之间的关系。在画交流通路时,应将耦合和傍路电容及恒压源( 短路)。 3 .题 (3) 所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为()( CERRIEU???)。该电路的交流负载线是经过(Q) 点,且斜率为( LCRR // 1?) 的一条直线。共射放大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点(),( C CEiu )的运动轨迹。 4. CE 放大器工作点选在( 交流负载线) 的中点时, 无削波失真的输出电压最大。 5