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电光调制实验报告.doc

文档介绍

文档介绍:电光调制实验报告
电光调制实验报告
电光调制实验报告
`
光电工程学院
2013/2014学年第2学期
送到双踪示波器,以便同时
显示波形,进行比较。
5、扬声器将有源扬声器插入功率输出插座即可发声,音量由“解调幅度”控制。
6、沟通电源主控单元后边板右侧装有带开关的三芯标准电源插座,用以连结
220V市电沟通电源。
注:扬声器发声的音质与光路调整、晶体偏压、调制幅度以及信号
源的性能均相关系。
【实验原理】
某些晶体在外加电场的作用下,其折射率随外加电场的改变而发生变化的现象称为电光
效应,利用这一效应能够对透过介质的光束进行幅度、相位或频次的调制,组成电光调制器。
电光效应分为两种种类:
一级电光(泡克尔斯——Pockels)效应,介质折射率变化正比于电场强度。
二级电光(克尔——Kerr)效应,介质折射率变化与电场强度的平方成正比。
本实验使用铌酸理(LiNbO3)晶体作电光介质,组成横向调制(外加电场与光流传方向
电光调制实验报告
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电光调制实验报告
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垂直)的一级电光效应。

,入射光方向平行于晶体光轴
(Z轴方向),在平行于X轴的外加电场(E)
作用下,晶体的主轴X轴和Y轴绕Z轴旋转
45,形成新的主轴
X’轴—Y’轴(Z轴不变),
它们的感生折射率差为
n,它正比于所施加的电场强度
E:
n
n03rE
式中r为与晶体构造及温度相关的参量,称为电光系数。
n0为晶体对寻常光的折射率。
当一束线偏振光从长度为l、厚度为d的晶体中出射时,由于晶体折射率的差别而使光波
经晶体后出射光的两振动分量会产生附加的相位差,它是外加电场E的函数:
2
nl
2
n03rEl
2n03r
lU
()
d
式中为入射光波的波长;同时为测量方便起见,电场强度用晶体两面极间的电压来表示,
即U=Ed。
当相位差=时,所加电压
UU
d
3
()
2n0rl
U称为半波电压,它是一个用以表征电光调制电压对相位差影响的重要物理量。由
()
式可见,半波电压
U决定于入射光的波长
、晶体材料和它的几何尺寸。由
()、()式可
得:
电光调制实验报告
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电光调制实验报告
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`
(U)
U
U
0
()
式中
0为U=0时的相位差值,它与晶体材料和切割的方式相关,
对加工优秀的纯净晶体
而言0=0。

由激光器发出的激光经起偏器P后只透射光波中平行其透振方向的振动分量,当该偏振
光IP垂直于电光晶体的通光表面入射时,如将光束分解成两个线偏振光,经过晶体后其X分
量与Y分量的相差为(U),然后光束再经检偏器A,产生光强为IA的出射光。当起偏器与检
偏器的光轴正交(AP)时,根据偏振原理可求得输出光强为:

IAIPsin22
sin2(U)
()
2
式中
P
x,为P与X两光轴间的夹角。
若取
=土45
。,这时U对IA的调制作用最大,并且
IAIPsin2
(U)
()
2
再由()式可得
IAIPsin2
U
2
U
于是可画出输出光强
IA与相位差
(或外加电压
U)的关系曲线,即
IA~(U)或IA~U如
下:
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