半导体工艺化学实验报告.docx

文档介绍：
半导体工艺化学实验报告
半导体工艺化学试验报告　　试验名称：硅片的清洗
　　试验目的：
　　
　　试验设备：〔SFQ-1









半导体工艺化学实验报告
半导体工艺化学试验报告　　试验名称：硅片的清洗
　　试验目的：
　　
　　试验设备：〔SFQ-1016T〕
　　-1；SC-2
　　试验背景及原理：
　　清洗的目的在于去除外表污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片外表。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，紧要影响少数载流子寿命和外表电导；碱金属如钠等，引起紧要漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。去除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
　　我们这里所用的的是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大规模集成电路的良率有着极大的影响。SC-1及SC-2对于去除颗粒及金属颗粒有着显著的作用。
　　试验步骤：
　　1. 清洗前打算工作：
　　仪器打算：
　　①烧杯的清洗、枯燥










　　②清洗机的预打算：开总闸门、开空气压缩机；开旋转总电源〔清洗设备照明自动开启〕； 将急停按钮旋转拉出，按下旁边电源键；缓慢开启超纯水开关，角度小于45o；依据须要给1#、2#槽加热，正式试验前提前一小时加热，加热上限为200o。本次试验中选用了80℃为反响温度。
　　③SC-1及SC-2的配置：
　　我们配制体积比例是1:2:5，所以选取溶液体积为160ml，对SC-1 NH4OH：H2O2：H2O=20:40:101ml，对SC-2 HCl：H2O2：H2O=20:40:101ml。
　　2. 清洗实