文档介绍：表面光电压谱
图1. 具有Schottky势垒的带弯，p－型(上图)和n－型
(下图)半导体与金属形成的势垒接触。
固/固
液/固
气/固
Date
8
图 2. n－型(左图)和p－型(右图)半导体材料在n and (b) three dimension
(n-Si/TiO2)/(B)
e
h
Date
33
表面光电微区扫描
近场扫描
Date
34
对于稳态表面光伏的影响因素
1．样品吸收特性(消光系数、跃迁属性等)
2．样品内阻
3．样品粒径
4．调制频率
5．环境因素
6．外场
7．电极
8．相位
Date
35
样品内阻对表
面光伏的影响
Date
36
样品粒径对表
面光伏的影响
Date
37
相位影响
Date
38
在材料科学上的应用
半导体材料导电类型的确定
少数载流子扩散距离的测定
表面态参数的测定
表面光伏气敏特性研究
谱带认证
半导体材料的禁带宽度的测定
Date
39
半导体材料导电类型的确定
1、光伏响应方向
或相位角
三种方式来确定
Date
40
The SPS and FISPS of azo pigments A and C
C
A
利用场效应光伏响应
Xie Tengfeng, Wang Dejun.
Phys. Chem. B 2000, 104, 8177-8181
Date
41
Eg = 1/l (nm) × 1240 = 1/390 × 1240 = eV
半导体材料的禁带宽度的测定
l
l
Date
42
表面光伏测量应用实例：
1、太阳能电池研究
2、光电气敏特性研究
3、光催化研究
Date
43
Zn掺杂TiO2微球的形貌分析
0% Zn SEM
% Zn SEM
% Zn SEM
1% Zn SEM
% Zn FESEM
% Zn 450℃ FESEM
Zn/%时，TiO2微球尺寸接近均一。
热处理前后形貌基本一致。
Zn掺杂TiO2微球染料敏化太阳电池应用
1、太阳能电池研究的应用
Date
44
Zn掺杂TiO2微球的表面光电压谱
不同Zn/Ti摩尔比的TiO2微球的表面光电压谱。
插图为表面光电压谱/场诱导表面光电压谱的装置示意图
应该做它的表面光电流！！
Date
45
(a)
(b)
染料敏化前
染料敏化后
Zn掺杂TiO2微球的瞬态光伏
激发波长 355 nm 激发水平50mJ
激发波长 532 nm 激发水平50mJ
Date
46
基于Zn掺杂TiO2微球薄膜电极
的染料敏化太阳电池的性能测试
Sample
Voc (V)
Jsc (mA/cm2)
FF
(%)
SBET (m2/g)
TiO2
% Zn-TiO2
% Zn-TiO2
% Zn-TiO2
不同Zn掺杂量的DSSCs的I-V特性曲线
Voc随Zn含量的增加而增加。
Jsc和在Zn/%时最大。
各电池的填充因子较低。
尺寸、形貌对电池的影响。
Yu Zhang, Dejun Wang, Tengfeng Xie,
Electrochimica Acta， in press,
Date
47
ZnO纳米阵列/CdS异质结构敏化太阳电池性能研究
ZnO/CdS异质结构
紫外可见漫反射吸收光谱
可见吸收随CdS的增多而红移，
强度逐渐增大
Date
48
ZnO/CdS异质结构薄膜的的表面光电压谱
光伏响应的阈值和强度随CdS量的不同发生了有规律的变化
Date
49
Yu Zhang，Tengfeng Xie, Dejun Wang et al. Nanotechnology, 2009, 20, 155707
532 nm 激发
激发水平50 mJ/pulse
Date
50
电池性能随CdS负载量的增加而提升，填充因子有所下降。
量子点敏化太阳电池的I-V特性曲线