文档介绍：单电压工作,读写操作工作电压范围: - 。三种擦除方式: ( Sector-Erase : 18ms ) ( Block-Erase : 18ms ) ( Chip-Erase : 40ms ) 注意:此芯片提供擦除延缓/擦除继续功能。支持硬件复位功能。对写操作完成的判断: 1. Toggle Bits ?(触发位) 2. Data# Polling (数据检测位) 该芯片提供典型的字编程,操作时间为 7μs 。使用前面提到过的两种方法进行对写操作完成与否的判断。芯片的操作: 使用命令字来初始化芯片的存储操作功能,命令字通过标准的微控制器写时序来写进设备:在进行命令字写的时候,保持 CE# 为低电平,并使 WE# 脚为低电平。地址总线在 WE# 或者 CE# 两者中任一在后面发生者的下降沿被锁存;数据总线在 WE# 或者 CE# 两者中任一在前面发生者的上升沿被锁存。芯片具有工作在自动低损耗的状态,它使得芯片当进行完一个有效的读操作并且已经获取完数据后工作在一个准备(备用)的状态。当有任何地址跳变或者控制信号跳变时, 芯片立即退出此工作模式——自动低损耗( Auto Low Power )。注意:当芯片上电后保持 CE# 为低电平的情况下其不进入此工作模式,直到第一个地址跳变( transition )或者 CE# 变为高电平。读操作: 读操作时,保持 CE# (芯片选取端)和 OE# (输出允许端)为低电平,当此两引脚任一为高点平时,数据总线处于独立(高阻)状态。读循环时序见图 3。写(以字为单位)操作: SST39VF6401/6402 是基于字编程,在编程(写入)之前, 必须先对将要写的扇区进行全部擦除操作(即写 1) 。整个写入的完成分为三步: 1. 三字节的装载时序为软件数据保护; (字)和数据(字)。在字编程(写入)操作时,地址总线在 CE# 或者 WE# 任一后发生者的下降沿被锁存,而数据总线在 CE# 或者 WE# 任一先发生者的上升沿被锁存; 3. 芯片内部的编程操作(不需我们管的),此步骤在 WE# 或者 CE# 任一先发生的第四个上升沿开始。编程(写入)操作一旦开始,将在 10μs内完成。图 4和图 5为 WE# 和 CE# 的控制编程操作时序图,图 19 为操作流程图。在编程操作过程中,仅仅对数据位( Data# Polling )和触发位( Toggle Bit )的读有效。在内部编程操作时(上述的第三步) ,主机( SST39VF6401/6402 )可以执行其他任务。但是,在进行内部编程时,任何命令的发生的被忽略。注意: 在命令字时序中, WP# (写保护)必须保持高电平或者低电平。图 19 编程软件流程图写操作状态检测操作: SST39VF6401/6402 为了优化系统写循环时间,提供了两种方法来检测写(编程或者擦除) 循环的完成。软件检测包含两个状态位: Data# Polling ( DQ7 )和 Toggle Bit ( DQ6 )。在 WE# 的上升沿后(发起内部编程或者擦除操作) ,对写完成的检测就被激活。因为非易失性的写操作的真正完成与系统是异步的,所以 Data# Polling 或者 Toggle Bit 的读也许会与写完成的时序同时发生,