文档介绍：14 二极管和晶体管
第14章 二极管和晶体管
PN结及其单向导电性
PN 结：P 型半导体和 N 型半导体的交界面处形成的一个
特殊的如 2CW59 的 UZ
为 10～ V 。
温度每升高一度，UZ 升高的百分
比。
，则
，则
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第14章 二极管和晶体管
4. 动态电阻 rZ
5. 最大允许耗散功率 PZM
rZ 越小，稳压性能越好。
3. 稳定电流 IZ
最大稳定电流 IZM
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第14章 二极管和晶体管
例 计算下图中通过稳压二极管的电流 IZ 等于多少？
R 是限流电阻，其值是否合适？
解：如果稳压二极管处于正常
工作状态，则管子上的压降为
12V ，所以此时 R 上的电压为
因此，电流为
因为
。所以，限流
电阻的阻值是合适的。
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第14章 二极管和晶体管
晶体管
基本结构
平面型
合金型
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第14章 二极管和晶体管
图 晶体管的结构示意图和表示符号
(a) NPN 型晶体管；(b) PNP 型晶体管
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第14章 二极管和晶体管
电流分配和放大原理
晶体管电流放大的实验电路 ( 共发射极接法 )
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第14章 二极管和晶体管
表 晶体管电流测量数据 ( EC=6V )
IB / mA
IC / mA
IE / mA
0
<
<
几点结论
(1) IE=IC+IB ；
(2) IC 和 IE 比 IB 大的多；
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第14章 二极管和晶体管
对于第三列的数据，有
对于第四列的数据，有
这个就是晶体管的电流放大作用。电流放大作用还体
现在较小的 IB 的变化会引起较大的 IC 的变化。还是
以第三列和第四列的数据为例
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第14章 二极管和晶体管
(3) 当 IB=0 （基极开路）时，IC=ICEO ，表中
(4) 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，而
集电结必须反向偏置。
WL
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第14章 二极管和晶体管
晶体管电流放大作用的原理图
载流子运动
电流分配
GC
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第14章 二极管和晶体管
发射极的电流 IE 分为了两部分，一部分形成了电流 IBE ，
另一部分形成了电流 ICE 。其中 IBE 远小于 ICE 。两者的
比值用 表示。
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第14章 二极管和晶体管
图 电流方向和发射结与集电结的极性 (起放大作用时)
(a) NPN 型晶体管； (b) PNP 型晶体管
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第14章 二极管和晶体管
特性曲线
特性曲线用来表示晶体管各极电压与电流之间的关系。
下面的图表示的是共发射极接法时 3DG100 的特性曲线。
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第14章 二极管和晶体管
1. 输入特性曲线
输入特性曲线是 UCE 为常数时 IB 和 UBE 之间的关系。
对于硅管而言， 的输入特性曲线变化不大。
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第14章 二极管和晶体管
2. 输出特性曲线
输出特性曲线是指 IB 为常数时，IC 与 UCE 之间的关系曲线。
(1) 截止区
(2) 饱和区
此时集电结同发射
结一样，都是正向
偏置。
(3) 放大区
IB 和 IC 成比例，又
称线性区。
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第14章 二极管和晶体管
放大
截止
饱和
图 晶体管三种工作状态的电压和电流
通过截止和饱和两种状态的转换，可以实现开关作用。
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第14章 二极管和晶体管
表 晶体管结电压的典型数据
管型
硅管 (NPN)
锗管 (PNP)
饱 和
放大
截 止
UBE / V
UCE / V
UBE / V
UBE / V
工作状态
开始截止
开始截止
-
-
～
-～-
-
≤0
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第14章 二极管和晶体管
例 在下图的电路中
当输入电压分别取 3V ，1V 和 -1V 时，试问晶体管处