文档介绍：光通讯基础知识与产品知识培训
三、光缆
含有光纤，符合现场实际使用要求的光、机械和环境规范的缆。由光纤、加强件和外护层等组成。
光缆的分类：
按芯数分为单芯、双芯、多芯
按结构分为层绞式、骨架式、带状等
按敷设场合分为架空、直埋、管
2，PD TO
PD TO主要材料为TO帽、TO座、PD芯片、TIA、陶瓷电路板和电容。为提高灵敏度，防止串扰，TO封装要求：1，PIN尽可能靠近IC。2，打线尽可能短。
PD TO帽
探测器的帽子越高，焦点越近，灵敏度越高。最常用的几款PD 、。
同时，PD芯片的陶瓷垫片的高度也可以调节PD的焦距。、、。
TO如图所示。
PD芯片
探测器芯片分PIN和APD。
对于PIN，光敏面越大耦合时越好找光，但光敏面越大带宽越窄。目前155M和622M的PD光敏面为φ75、φ80，、φ60。
APD为雪崩二极管，是利用光生载流子的雪崩效应使反向结电流产生倍增。
TIA
TIA是将探测器芯片产生的光电流进行差分放大输出的作用。如图所示。
PD TO座
最常见的PD TO底座为肖特的TO46底座。下边为肖特一款TO46座的外形图：
二，光电组件
目前的光组件的有TOSA、ROSA、BOSA、Triplexer、蝶形封装光组件等。
TOSA内部结构图
ROSA内部结构图
BOSA内部结构图
Triplexer内部结构图
蝶形封装内部结构图
三，光电产品的基本参数
1，激光器件的最大额定值
储存温度（Tstg）
器件不工作状态下的最高环境温度。
工作温度（Top）
器件工作状态下的最大管壳温度。
正向电流（If）
可以施加到器件上不引起器件损坏的最大连续正向电流。
反向电压（Vr）
可以施加到器件上不引起器件损坏的最大反向电压。
背光PD反向电压（Vd）
可以施加到背光PD上不引起器件损坏的最大反向电压。
2，激光器的光电特性参数
正向电压（Vf）
当正向驱动电流为一确定值时对应激光二极管的正向电压。
阈值电流（Ith）
激光二极管开始产生震荡的正向电流。
输出光功率（P0）
规定调制电流下激光器输出的光功率。
峰值波长（λp）
在规定的输出光功率时，光谱内最大强度的光谱波长为峰值波长。
中心波长（λc）
峰值波长下降3dB的连线中心对应的波长位置。
谱宽（Δλ）
对于FP LD，采用ITU-（RMS）宽度定义光谱宽度。
对于DFB LD，采用ITU-，峰值波长跌落-20dB的最大全宽。
边模抑制比（SMSR）
在规定的出光功率和调制时，最高光谱峰强度与次高光谱峰强度之比。
上升/下降时间（tr/tf）
指LD输出光功率的脉冲响应时间。从额定光功率的10%上升到90%的时间为上升时间，从额定光功率的90%下降到10%的时间为下降时间。
开通延迟（ton）
开通延迟是指调制的光脉冲上升沿在电信号为“开”后到达全幅度的10%对应的时间。
串联电阻（dV/dI）
指在工作电流处计算器件的电压电流的微分而确定的。对于一个激光二极管，总是希望有较小的串联电阻。高的串联电阻可能时因为器件的P边和N边的低质量金属化欧姆接触的结果。因此串联电阻是评价淀积在激光二极管上金属化接触质量的一个参数。
背光电流（Im）
规定在LD输出光功率时，背光二极管的光电流。
背光二极管暗电流（Id）
背光二极管在规定的反向电压和没有光照的情况下的输出电流，单位nA。
背光PD电容（Ct）
指PD在规定的反向电压下阳极和阴极之间的电容。
跟踪误差（TE）
不同温度下，背光相同时的出光功率之比。
3，探测器的最大额定值
正向电流（If）
指探测器所能承受的最大连续正向电流。
反向电流（Ir）
指探测器所能承受的最大连续正向电流。
反向电压（Vr）
指探测器所能承受的最大反向电压。
4，探测器的光电特性参数
正向压降（Vf）
指在无光照情况下，通过正向电流为规定值时，探测器正负极之间产生的压降。
响应度（R）
探测器产生的光电流与入射光强度之比。
APD反向击穿电压（Vbr）
APD载流子倍增因子达到无穷大时的电压。在实际定义时把击穿电压定义为在无光照情况下，反向电流达到一个规定值时的反向电压。
击穿电压温度系数（r）
击穿电压随温度变化的系数。指温度变化时维持一个倍增