文档介绍：用于流体环境检测的谐振传感器的制造方法
用于流体环境检测的谐振传感器的制造方法
本发明公开了一种用于流体环境检测的谐振传感器，其中，压电声波谐振器谐振传感器包括：多层结构，多层结构包括以下结构中的至少之一：上电极、压电层和下电极；其中，曲线形状。
[0020]而且，每个流道的高度大于或等于lnm，且小于或等于100 μ m。
[0021]优选地，每个流道的高度大于或等于10nm，且小于或等于10 μ m。
[0022]并且，对于位于多层结构的表面的流道，该流道由位于多层结构表面的流道腔体与多层结构的表面限定得到。
[0023]可选地，流道腔体的材料包括以下至少之一:
[0024]金属、介质材料、半导体材料、聚合物。
[0025]此外，流道腔体进一步沿多层结构的表面延展。
[0026]并且，形成流道腔体的材料的频率温度系数与形成多层结构的材料的频率温度系数相反。
[0027]进一步地，形成流道腔体的材料的频率温度系数与形成压电层的材料的频率温度系数相反。
[0028]另外，对于多层结构的有效区域与至少一流道接触的表面，该表面覆盖有修饰物。
[0029]可选地，上述谐振传感器为:
[0030]薄膜体声波谐振器或石英晶体谐振器。
[0031]本发明通过集成流道与谐振传感器，并且限制流道面积，能够提高谐振器的品质因数，从而得到更高的测量精度。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]图1是现有技术中用于流体环境检测的谐振传感器的示意图；[0033]图2是根据本发明的一个实施例的谐振传感器的立体图；
[0034]图3是图2所示的谐振传感器的截面图；
[0035]图4-6是根据本发明的多个实施例的谐振传感器的示意图；
[0036]图7A是根据本发明的又一个实施例的石英晶体谐振器的俯视图；
[0037]图7B是图7A所示石英晶体谐振器的截面图；
[0038]图8是根据本发明实施例的流道结构的俯视图；
[0039]图9是根据本发明实施例的有效区域和去离子水的接触面积与谐振器品质因数的比例关系图。
【具体实施方式】
[0040]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041 ] 根据本发明的实施例，提供了一种用于流体环境检测的谐振传感器。
[0042]谐振传感器包括薄膜体声波传感器和石英晶体传感器。薄膜体声波传感器包括薄膜体声波谐振器和微流道(可能还有空气反射镜或者布拉格反射层)。石英晶体传感器包括石英晶体谐振器和微流道。
[0043]提高谐振器(薄膜体声波谐振器和石英晶体谐振器)的品质因数可以提高谐振传感器(薄膜体声波传感器和石英晶体传感器)的测量精度(最小探测精度)。
[0044]根据本发明实施例的谐振传感器可以包括:
[0045]多层结构，多层结构可以包括以下结构中的至少之一:上电极、压电层和下电极；其中，多层结构中所有结构彼此重叠的区域为有效区域(即，谐振器的有效区域);
[0046]至少一流道，对于每条流道，该流道的至少部分位于有效区域的表面或内部；其中，所有流道与有效区域的重叠部分的水平投影面积总