文档介绍：[ＯＴＦＴ：硅的终结者]硅基生命特点

　　老式的无机晶体管是金属氧化物半导体式的场效应管，其半导体材料一般为无机硅。有机薄膜晶体管又称塑料晶体管，和MOS晶体管的最大不同样在于OTFT采用有机半导体材料替代MOS中的无机半导体材料。中，六噻吩是目前发现的迁移率最高的有机材料，运用做有机半导体制作的OTFT中，电子和空穴的迁移率分别达到 cm2/V•s和 cm2/V•s。1994年，运用打印法制备了全聚合物的OTFT，得到的晶体管载流子迁移率达到 cm2/V•s，为OTFT的便宜和大面积制备打下了基本。近来，剑桥大学和爱普生公司运用喷墨打印法，采用由于亲水性和疏水性而产生自组织化特性的聚合物P3HT制成晶体管，器件的电极所有为高分子材料，沟道长度达5～10 ｍｍ，载流子迁移率达到～ cm2/V•s，开关电流比达到1×105，工作频率达到250 Hz。这使得有机薄膜场效应晶体管的低成本、批量生产成为也许。目前，器件的载流子迁移率可达到1 cm2/V•s，开关电流比达到1×107。
　　OTFT的制作工艺
　　从制作措施来辨别，OTFT有真空沉淀和溶液解决两种措施。
　　真空沉淀技术一般用于有机小分子材料，常常使用的措施有两种：一种是热蒸镀；另一种是气相沉淀。其中，热蒸镀是将有机材料置于坩锅中，加热至材料的升华温度，使得材料在基板上沉淀。运用真空蒸镀制备有机器件是目前最广泛使用的工艺。有机材料的纯度对于晶体的生长有相称大的影响，为了提高纯度，可以使用热梯度法。
　　而气相沉淀和热蒸镀最大的差别在于运用惰性气体为媒介气体，将有机蒸汽带到基板上。并且基板摆放也和热蒸镀相反，基板在腔体下方，有机蒸汽通过蒸汽喷头由下而上至基板。
　　溶液解决措施可用于聚合物和可溶解的有机小分子，涉及旋转涂布和喷墨打印等措施。旋转喷涂是将有机材料溶于有机溶剂，均匀地涂在基板上，通过高速旋转形成有机薄膜。溶液的浓度和旋转的速度影响有机薄膜的厚度和均匀性。印刷技术涉及屏幕打印、喷墨打印和接触打印等措施。国际上，已有多种实验室用印刷技术制备有机薄膜晶体管，其中研制印刷用试剂是核心，多种有机半导体或绝缘体所有可按某种把戏图案，一层一层地印制在柔性衬底上，最后成为一种完整有机薄膜晶体管。目前，研究集中在打印技术方面，其线宽可不不小于1 μm。其中喷墨打印法就是像打印机打字同样将有机打印到衬底材料上。用喷墨打印头制备的有机晶体管阵列的级延迟不不小于40 μs，虽无法和硅器件相比，但已经获得了很大进展。这项技术的发展为大规模、大尺寸产品生产提供了工艺措施。
　　OTFT的材料
　　OTFT最核心的技术之一是有机半导体材料。有机薄膜晶体管对所用的有机半导体材料有着特殊的规定：高迁移率、低本征电导率。高迁移率是为了保证器件的开关速度，低本征电导率是为了尽量地减少器件的漏电流，从而提高器件的开关比，增长器件的可靠性。
　　根据材料传播载流子电荷的不同样，可分为N型半导体材料和P型半导体材料。N型半导体是指载流子电荷为负，即载流子为电子；P型半导体是指载流子电荷为正，即载流子为空穴。
　　目前用于有机薄膜晶体管的N型材料核心以富勒烯为代表。它的电荷迁移率远高于其他N型材料，运用这种材料制备的有机薄膜晶体管的迁移率可以达到 cm2/V•s，开关电流比超过105。其他材料有