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磁阻效应物理实验报告.pdf

文档介绍

文档介绍:磁阻效应
磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、
仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛,如:数字式罗
盘、交通车辆检测、导航系统等。磁阻器件品种较多,可分为正
常磁电阻,各向异性磁电阻, 将产生倍频交流电阻值
变化。
由上式可知,磁阻上的分压为 B 振荡频率两倍的交流电压和
一直流电压的叠加。
V (B)  I R(B) 
0
1 1
I [R(0) R(0)kB2] R(0)kB 2 cos2t
0 2 2 0
~
V (0)V cos2t
仪器介绍磁阻效应实验仪
I 励磁电流:0~1000mA,连续可调;霍尔、磁阻传感器工作
M
电流 I (I ) 0~5mA;水平位移范围  20mm;霍尔元件的灵敏度
1 2

k=177/V(mA·T)。
实验内容
1 测定励磁电流和磁感应强度的关系
测量励磁电流 I 与U 的关系(测量电磁铁的磁化曲线)。按
M H
图接好电路。
测试开始时,可调节 I =0mA ,处于零磁场状态,调节左边
M
霍尔传感器的位置,使霍尔传感器在电磁铁气隙最外边,离气隙
中心约 I =,预热 5 分钟后,测
S
量霍尔传感器的不等位电压V  。然后调节左边霍尔传感
0
器的位置,使传感器印版中 0 刻度对准电磁铁上中间基准线,面
板上继电器控制按钮开关 K1 和 K2 均按下。调节励磁电流 I 为
M
0,100,200,300.。。。1000(mA)。记录对应数据并绘制电磁铁 B- I
MV
关系磁化曲线。由霍尔元件的原理知:磁场 B= H 。
KI
S
U(mv)正 U(mv