文档介绍：《电力电子技术》学****心得
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《电力电子技术》关于新能源的利用
通过这学期十几周的学****我对电力电子学有了简单地了解。采用半导体电力开关器件构成各种开关电路，按一定的规律，周期性地，实时、适式的控制开关器件的通、断状态，可光伏逆变器。工频变压器隔离的光伏逆变器是目前较常用的结构，具有安全性高，可以防止逆变器输出的直流偏置电流注入电网，但存在工频变压器体积大、笨重的问题。工频隔离的光伏逆变器效率约在94%~96%之间。
高频隔离的光伏逆变器一般通过前级DC/DC变换器实现高频隔离，如图1(a)所示。它具有高频隔离变压器体积小、重量轻的特点。隔离DC/DC变换器电路有全桥移相DC/DC变换器，双正激DC/DC变换器等。由于引入隔离DC/DC变换器，将引起3-4%效率损耗。高频隔离的光伏逆变器整体效率在93-95%。
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非隔离的光伏逆变器具有功率密度高、整机效率高的特点。目前，%。非隔离光伏逆变器又可分为单级结构、两级结构。单级结构中，光伏模块的输出电压必须与电网电压相匹配，因此单级结构对光伏阵列的额定电压等级有较苛刻的要求，但在大功率光伏系统中不成为问题。两级结构中，光伏模块的输出首先通过前级DC/DC变换器升压，再送入逆变器。两级结构对光伏模块的额定电压等级的要求比较宽松，因此在小功率光伏系统中较受青睐。非隔离光伏逆变器越来越得到广泛应用，在欧洲约占80%市场，在日本约占50%市场。
由于非隔离光伏逆变器中，光伏模块与电网之间没有电气隔离，需特殊考虑安全性问题。图2 为一个非隔离并网光伏逆变器示意图。图2(a)所示，光伏电池硅片与接地框架之间存在寄生电容。对于单晶体硅光伏电池，寄生电容约为50~150nF/kWp，对于薄膜光伏电池，约为1μF/kWp[5]。图2(b)为考虑PV寄生电容光伏系统模型，Cpv 为光伏模块等效对地寄生电容。逆变器ＰＷＭ调制将在Cpv两端引起的高频电压，造成地电流。寄生电容
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Cpv的大小与光伏阵列的框架结构有关，光伏电池表面及间距、框架结构、天气条件、湿度、覆盖于光伏阵列表面的尘埃。地电流对人造成安全隐患，也造成电磁干扰。因此，对于非隔离光伏逆变并网系统，需要抑制由光伏模块寄生电容引起的地电流问题。
  地电流与光伏阵列输出端电压波动的幅度及频率密切相关，即与逆变器拓扑及开关策略的选择有关。地电流抑制有多种方法，主要有采用特殊的并网逆变拓扑和PWM调制方法、在交流侧安装共模电抗器、有源地电流抑制电路。
我们都知道，随着大功率半导体开关器件的发明和变流电路的进步和发展，产生了利用这类器件和电路实现电能变换与控制的技术——电力电子技术。电力电子技术横跨电力、电子和控制三个领域，是现代电子技术的基础之一，是弱电子对强电力实现控制的桥梁和纽带，已被广泛应用于工农业生产、国防、交通、能源和人民生活的各个领域，有着极其广阔的应用前景，成为电气工程中的基础电子技术。
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电力电子的诞生,上世纪五十年代未第一只晶闸管问世，电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台，以此为基础开发的可控硅整流装置，是电气传动领域的一次革命，使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代。这标志着电力电子的诞生。
第一代电力电子器件,进入70年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品，它们是普通晶闸管不能自关断的半控型器件，被称为第一代电力电子器件。
第二代电力电子器件,随着电力电子技术理论研究和制造工艺水平的不断提高，电力电子器件在容量和类型等方面得到了很大发展，是电力电子技术的又一次飞跃，先后研制出大功率双极型晶体管(GTR)，门极可关断晶闸管(GTO)，功率MOSFET等自关断全控型第二代电力电子器件。
第三代电力电子器件,以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表，开始向大容量高频率、响应快、低损耗方向发展。
现代电力电子时代,八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。电力电子器件正朝着标准模块化、智能化、功率集成的方向发展。在国际上电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。
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功率半导体器件是电力电子电路的基础，通过学****掌握了多种电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数等内容。其中包括功率二极管、大功率晶体管、晶闸管、场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管等。 整流管是电力电子器件中结构最简单，应用最广泛的一种器件。目前已形成普通型，快恢复型和肖特基型三大系列产品，电力整流管对改善各种电力电子电路的性能，降低电路损耗和提高电流使用效率等