文档介绍：高科技公司商业计划书
限公司
区河北工业大学东院
钠[]
天津晶岭咼科技有
地址：
电 话： 传真:
联系:
天津市红桥
(022)
(022)
(北京) 刘
学微电子技术与材 料研究所负 责产品与技术的研发和更新换代，公司负责新产品的产业化、商品 化。在不断推 广产品在集成电路制造领域应用的基础上，将产品与技术迅速扩展到液晶显示屏、 电子玻璃、计算机与电视机玻壳及光学玻璃、高档金属材料 加工、油田提高二次 采油率等领域，使企业逐步形成规模，力争在短时间内全 面替代国外产品，并逐 渐进军海外市场。我们的目标是在五年内达到年产值亿 元人民币以上。最终将公 司建设成为微电子行业专用材料的国际知名生产企 业。
2. 2. 6公司产品 公司有以下三条主产品线：
1. 以“FA/0超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜布线
化学机械全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液”为代表的高端产品线。
超大规模集成电路（ULSI）是国家“十五”期间的重大攻关项目。
ULSI每个芯片集成度最高可达儿十亿个元器件，特征尺寸已进入纳米 级，这使得ULSI多层布线金属正由传统的AL向Cu转化，这样可使布线 层数减少一半，成本降低30%,加工时间缩短40%, 2003年国际上
已开始规模应用，市场约18亿美元/年以上。超大规模集成电路 （ULSI） 多层布线介质及铜（Cu）布线化学机械全局平面化（CMP）是今后世界集 成电路制造业急待解决的难题，目前世界各国正在封闭研发 这一工序所 需的抛光材料。
我方在该项目上已率先实现了技术突破，在国际上首次研究成功无离 子FA/O超大规模集成电路（ULSI）多层布线介质及铜（Cu）布线化学机械 全局平面化（CMP）纳米磨料抛光液。该产品能有效控制铜离子沾污，具有 高速率、低损伤、高选择性，高清洁度等优点，该产品的成 功研制标志着 我方技术已达到国际领先水平，为微电子第三代布线做出 创造性贡献。该 成果已在中科院微电子中心国家重大攻关项目“集成电 路铜布线制作”中 得以应用，取得了很好的效果并完成台湾第一期评估， 2002年获天津市发 明一等奖，现正申报国家发明奖。
2. 以“FA/O集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液”为代表的主 产 品线
FA/0集成电路衬底硅片纳米磨料抛光液获国家发明三等奖，其中还应 用了 1999年获国家发明三等奖的能够提高抛光镜面光洁度的FA/0活 性 剂。该产品被评为国家级新产品并被列入国家重点推广计划。
本产品由于表面张力低、活性强、易清洗、浓缩度高，便于运输与保 存，价格仅为进口产品的1/2,已经在国家微电子一级企业中国华晶电子集 团公司、国家最大硅材料厂络阳740厂、深爱半导体有限公司、 吉林华微 电子集团等十儿条引进生产线上开始取代在世界微电子行业一 直占霸主地 位的美国Rodel公司的Nalc。系列产品。现已开始向台湾出□并签订代理 销售合同，为国家节省了大量外汇并创汇。
FA/O 系列纳米磨料抛光液 2001 年被列入天津市“十五”重大攻关 项 目，获得无偿资助 100 万元。
“FA/O电子材料清洗剂、半导体材料切削液、倒角液、磨削 液、活性剂”为代表的换代产品线
FA/0 电子材料清洗剂
FA/0 电子材料清洗剂，其金属离子含量远远低于世界知名的美国 Parker 公司和日本“花王”的产品，而且它属于环保型水基清洗剂，完 全可代替微电子用1、2、3号液及***里昂、三***乙烷等ODS清洗剂，能够 有效地清洗 ULSI 衬底、电子玻璃及 LCD 屏等固体表面上的金属离 子、有 机、无机杂质和固体粒子，与同类产品相比具有清洗时间短、渗 透力 强、浓缩度高、使用方便、安全、无毒、对人体无危害、对环境无 污 染、对大气臭氧层无破坏作用等优点。己被国家指定的 0DS 检测机构 信息 产业部 46所检查确认：该产品达到国际先进水平。为我国电子行 业取代 破坏臭氧层的 0DS 产品做出了贡献，具有巨大的社会效益。本产 品现已被 我国大型的 LCD 生产厂家深圳天马微电子公司、河北冀雅电子 有限公司 （MOTOROLA 指定生产厂）等多家公司确认为指定清洗产品。在 ULSI 衬底 抛光片清洗工艺中采用 FA/O 电子材料清洗剂，可有效控制镜 面吸附状态 长期处于易清洗的物理吸附状态，在该项目提示的技术理论 发明的指导 下，硅单晶片抛光后存放时间由正常不足四小时，增至 68 小时，实现了 集中清洗，大大提高了效率，节省了大量人力、物力（化 学试剂、电、 去离子水等），工艺简化，省去了效率低（一片一片依次 清洗）、造成 损伤、返修率高、价格昂贵（30 多万美元/台）、工艺复 杂的双面刷片机