文档介绍：振荡器的制作方法
专利名称：振荡器的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种振荡器。
背景技术：
振荡器被广泛用于各种电子产品中，特别是在集成电路中，振荡器为集成电路中的各种数字信号处理模块提供时钟信号。然而OS晶体管的源极连接电源电压；所述启动电路的输出端、第三PMOS晶体管的栅极、第四PMOS晶体管的栅极、第四PMOS晶体管的漏极和第三NMOS晶体管的漏极和第五PMOS晶体管的栅极相连接；第五PMOS晶体管的漏极作为所述电流源电路的输出端，其连接所述第一电容的正极；第三NMOS晶体管的源极连接电阻的一端，电阻的另一端接地。可选地，所述第三NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管均工作在亚阈值区，且所述 In τη
Μ = 其中m为第三NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管的宽长比的比值，R为所述电阻的 K
电阻值。可选地，所述电阻的温度系数小于或等于400ppm/°C。可选地，所述放电电路包括第四NMOS晶体管，其中第四NMOS晶体管的源极连接电容的正极，第四NMOS晶体管的漏极接地，第四NMOS晶体管的栅极连接失调比较器的输出端。
可选地，所述失调比较器还包括偏置端，其偏置端连接所述第五PMOS晶体管的栅极。可选地，所述失调比较器包括第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管，其中第八PMOS晶体管的栅极和第九PMOS晶体管的栅极相连作为失调比较器的偏置端，第八PMOS 晶体管的源极连接电源电压，第九PMOS晶体管的源极连接电源电压；第六PMOS晶体管的栅极连接第一电容的正极，第七PMOS晶体管的栅极接地；第八PMOS晶体管的漏极、第六PMOS 晶体管的源极和第七PMOS晶体管的源极相连接；第六PMOS晶体管的漏极、第五NMOS晶体管的漏极、第五NMOS晶体管的栅极、第六NMOS晶体管的栅极和第七NMOS晶体管的栅极相连接；第五NMOS晶体管的源极接地，第六NMOS晶体管的源极接地；第七NMOS晶体管的源极接地；第九PMOS晶体管的漏极和第七NMOS晶体管的漏极相连且连接所述放电电路的输入端。可选地，所述第六PMOS晶体管和第七PMOS晶体管均工作在亚阈值区，所述k为第六PMOS晶体管的宽长比和第七PMOS晶体管的宽长比的比值。可选地，所述失调比较器的增益大于或等于60dB。与现有技术相比，本发明具有以下优点1)电流源电路提供的基准电流和失调比较器提供的失调电压都主要与器件的尺寸相关，从而振荡器的时间周期不易受集成电路工艺的影响，且失调比较器的失调电压对振荡器的精度影响较小，最终提高了振荡器的精准度。2)可选方案中，所述电流源电路中的第三NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管均工作在亚阈值区，所述失调比较器中的第六PMOS晶体管和第七PMOS晶体管均工作在亚阈值区，因此振荡器可以在极低的电流下工作，降低了振荡器的功耗。3)可选方案中，所述失调比较器的增益大于或等于60dB，从而减小了失调比较器的有限增益对时钟频率的影响。4)可选方案中，所述电阻的温度系数小于或等于10_4ppm/°C (即10E-6 · °C )，从而使得振荡器的频率受温度的影响比较小，进一步提高了振荡器的精准度。
图1是现有技术一种高精准环形振荡器