文档介绍：模拟电子技术第五版基础****题与解答
模拟电子技术基础****题与解答
。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
模拟电子技术第五版基础****题与解答
模拟电子技术基础****题与解答
。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压
（2）求vo的变化范围
，温度 T＝300 K。
当rd1=rd2=rd时，则
的变化范围为，～。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为
－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。
试判断图题 ，为什么？
解 图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有
D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有
D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有
D被正偏而导通。
，D1，D2为硅二极管，当 v
i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和
折线模型（Vth＝ V，rD＝200Ω）分析输出电压 vo的波形。
解 （1）恒压降等效电路法
当0＜|Vi|＜，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥；D1导通，D2截止，vo ＝
7V；当vi≤，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。。
（2），图中Vth＝0．5V，rD＝200Ω。当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，vo=vi； vi≥0．5V时，D1导通，D2截止。vi≤－ V时，D2导通，D1 截止。因此，当vi≥0．5V时有
同理，vi≤－，可求出类似结果。
vi与vo波形如图解2．4．7c所示。
二极管电路如图题 2．4．8a所示，设输入电压vI（t）波形如图 b所示，在 0＜t＜5ms的时间间隔内，试绘出vo（t）的波形，设二极管是理想的。
解 vI（t）＜6V时，D截止，vo