文档介绍：版本
Revl. 0
变更事项
日期
修订者
核准
制订
文件编号
Q-H810-M016
周伟芳
制定日期
2011-4-11
页次
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目的
为使晶体管检测仪有一定的操作H810-M016
周伟芳
制定日期
2011-4-11
页次
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2. 2 NPN型2N3055晶体管的测试。
集电极电源
峰值电压范围
0〜5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
2. 50 Q
X轴
Vc （电压/度）
0. 5V/度
X工作方式选择开关
+ （上）
Y轴
Ic （电流/度）
50mA/度
Y工作方式选择开关
+ （上）
阶梯信号
极性
+
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
200yA/级
级/族
10
、B、C插好被测晶体管。
2. 2. 3测量选择“左”或“右"置于被测管一边。
。
NPN型町13005晶体管的测试
。
集电极电源
峰值电压范围
0 〜3KV
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250 Q
X轴
Vc （电压/度）
300V/度
X工作方式选择开关
+ （上）
Y轴
Ic （电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
+ （上）
2. 、C插好被测晶体管。
2. -3KV按通开关（S604）,集电极电压从0慢慢加大。
PNP型8550晶体管的测试
。
集电极电源
峰值电压范围
0 〜100V
集电极电压调节
0
极性
PNP-
功耗电阻
250 Q
X轴
Vc （电压/度）
10V/度
X工作方式选择开关
-（下）
Y轴
Ic （电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
-（下）
、C插好被测晶体管。
版本
Revl. 0
变更事项
日期
修订者
核准
制订
文件编号
Q-H810-M016
周伟芳
制定日期
2011-4-11
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2. 4. 3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
。慢慢加大。
N沟导耗尽型3DJ7G晶体管的测试。
。
集电极电源
峰值电压范围
0〜5V
集电极电压调节
0
极性
NPN+
功耗电阻
250 Q
X轴
Vc （电压/度）
0. 5V/度
X工作方式选择开关
+ （上）
Y轴
Ic （电流/度）
1mA/度
Y工作方式选择开关
+ （上）
阶梯信号
极性
—
方式
重复
输入
正常
串联电阻
0
阶梯选择
0. 2V/级
级/族
10
按E、B、C插好被测晶体管。
. 3测量选择“左”或“右”置于被测管一边。
2. “
2. 6硅整流二