文档介绍：第三章双极晶体管
晶体管(半导体三极管)是由两个PN结构成
的三端器件，由于两个PN结靠得很近，它具有放
大电信号的能力，因此在电子电路中获得了更广
泛的应用。
晶体管按使用要求的不同一般分为高頻管和
低頻管,小功率管
（3-107）
雪崩倍增因子M：
（3-108）
（2）晶体管的放大作用
在共发射极运用时：
（3-109）
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,输出特性
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共基极输入特性：随而指数上
升，与正向PN结特性一致。随着增
加，上升得更快，这是因为基区宽度W
随增加而减少，从而增大。
共基极输出特性：时，集电极电
流为反向饱和电流；按的规律随
增加，若一定，基本不随变
化，下将到0以后才逐步下降到0，
这是因为只有当集电结处于正偏状态后，
才能阻止发射区注入基区的电子流向集电
区。此时，晶体管进入饱和区。
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共发射极输入特性：与正向PN结伏安特性相似，随集电结电压增加而基极电流减少；这是因为集电结电压增加使基区宽度减小，基区复合电流减少，故基极电流减少。
共发射极输出特性：当基极电流为0时，流过晶体管的电流为；随着的增加，以的规律上升。随增加略上升，这是因为减少而使增大的结果。当减少到一定值（）而使集电结正偏，迅速下降，进入饱和区。
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晶体管输出特性分为三个区域：Ⅰ为线性工作区，Ⅱ为饱和区，Ⅲ为截止区．I区工作的晶体管，发射结处于正偏，集电结处于反偏，Ⅱ区工作的晶体管，发射结和集电结均处于正偏；Ⅲ区工作的晶体管发射结和集电结都为反偏。
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4．晶体管直流电流—电压方程
均匀基区晶体管的直流电流—电压方程，假设：
(1)发射结和集电结是理想的突变结，发射区、基区和集电区的杂质为均匀分布；
(2)晶体管是一维的，发射结与集电结面积相等；
(3)外加电压全部降落在PN结势垒区内；
(4)发射区与集电区的长度比少子扩散长度大得多；
(5)不考虑势垒区内的复合、产生，通过势垒区的电流不变；
(6)小注入状态。
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首先求出晶体管管内载流子浓度分布：
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（3-117）
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基区非平衡载流子的连续性方程为：