文档介绍：大学物理复****题
一、单项选择题
1. 距一根载有电流为3×104 A的电线1 m处的磁感强度的大小为(B)
-- (A) 3×105 T. (B) 6×103 T.
- (C) ×102T. (D) T.
- (已知真空的磁导率?0 =4?×107 T·m/A)
?? 2. 一电子以速度v垂直地进入磁感强度为B的均匀磁场中,此电子在磁场中运
动轨道所围的面积内的磁通量将(B)
(A) 正比于B,反比于v2. (B) 反比于B,正比于v2.
(C) 正比于B,反比于v. (D) 反比于B,反比于v. ?,通以如图示方向的电流I,将它置于均匀磁场B中,
?B的方向与x轴正方向一致,线圈平面与x轴之间的夹角为?,? < 90°.若AO边在y轴上,且线圈可绕y轴自由转动,则线圈将(B) (A) 转动使??角减小.
(B) 转动使?角增大.
(C) 不会发生转动.
(D) 如何转动尚不能判定.
?,M、N为水平面内两根平行金属导轨,ab与cd为垂 b面向
,cd (D)
(A) 不动.
(B) 转动. N (C) 向左移动. (D) 向右移动.
?? ,长度为l的直导线ab在均匀磁场B中以速度v移动,直导线ab中的电动势为(D) ? (A) Blv. (B) Blv sin?. (C) Blv cos?. (D) 0. ,则两个半环螺线管的自感系数(D) 111L. (B) 有一个大于L,另一个小于L. 222
11 (C) 都大于L. (D) 都小于L. 22 (A) 都等于
,,并在S1 S2连线的垂直平分面处放一高折射率介质反射面M,如图所示,则此时(B) (A) P点处仍为明条纹. (B) P点处为暗条纹.
(C) 不能确定P点处是明条纹还是暗条纹.
(D) 无干涉条纹.
8. 在单缝夫琅禾费衍射实验中,若增大缝宽,其他条件不变,则中央明
条纹(A)
(A) 宽度变小.
(B) 宽度变大.
(C) 宽度不变,且中心强度也不变.
(D) 宽度不变,但中心强度增大.
,在下列各种光栅常数的光栅中选用哪一种最好? (D)
-- (A) ×101 mm. (B) ×101 mm.
--3 (C) ×102 mm. (D) ×10 mm.
,正确的是(C)
(A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电
子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被
激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
(D) p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
x?3t?5t?6(SI单位制),则该质点作( D )
(A)匀加速直线运动,加速度沿X轴正方向;
(B)匀加速直线运动,加速度沿X轴负方向;
(C)变加速直线运动,加速度沿X轴正方向;
(D)变加速直线运动,加速度沿X轴负方向. ,其运动规律为
大小与时间的关系为( A )
(A) 3dv??kv2t,式中k为常数. 当t=0时,初速为v0,则该物体速度dt111121?kt?; (B) ??kt2?v0; v2v2v0
1111??kt2?; (D) v?kt2?v0. 2v2v0(C)
???12ti(N)作用在质量m=2kg的物体上,使物体由原点从静止开始运动,则它在3s末的速度为( B)
(A) ?27im/s; (B) 27im/s; (C) ?54im/s; (D) 54im/s.
,当其偏离平衡位置的位移为振幅的八分之一时,其振动动能为振动总能量的( D)
(A)1/8; (B) 1/64; (C) 49/64; (D) 63/64. ,若此时A点处媒质质元
的振动动能在增大,则:(B )
(A)A点处质元的弹性势能减小; (B)波沿x轴负方向