文档介绍：材料物理性能期末复****考点
一名词解释
:震动着的质点中所包含的频率甚低的格波,质点彼此之间的相位差不大,格波类似于弹性体中的应变波,称声频支振动。
:格波中频率甚高的振动波,质点间的相位差很大,临近质点的运动几乎相反,频率往往在红外光区,称光频支振动。
:材料中一个质点的振动会影响到其临近质点的振动,相邻质点间的振,动会形成一定的相位差,使得晶格振动以波的形式在整个材料内传播的波。
:材料在温度升高和降低时要时吸收或放出热量,在没有相变和化学反应的条件下,材料温度升高1K时所吸收的热量。
:相变在某一温度点上完成,除体积变化外,还同时吸收和放出潜热的相变。
:在一定温度区间内逐步完成的,热焓无突变,仅是在靠近相变点的狭窄区域内变化加剧,其热熔在转变温度附近也发生剧烈变化,但为有限值的相变。
:物体的体积或长度随温度升高而增大的现象。
:利用试样体积变化研究材料内部组织的变化规律的方法。
:当材料相邻部分间存在温度差时,热量将从温度高的区域自动流向温度低的区域的现象。
(抗热震性):材料称受温度的急剧变化而不致破坏的能力。
:由于材料的热胀冷缩而引起的内应力。
:在电场作用下,材料中的带电粒子发生定向移动从而产生宏观电流
:材料中参与传导电流的带电粒子称为载流子
:需要电阻率温度系数TRC或者α数值很小的合金,工程上称其为精密电阻合金
:半导体材料中所有价电子都参与成键,并且所有键都处于饱和(原子外电子层填满)状态,这类半导体称为本征半导体。
16. n型半导体:掺杂半导体中或者所有结合键处被价电子填满后仍有部分富余的价电子的这类半导体。
17. p型半导体:在所有价电子都成键后仍有些结合键上缺少价电子,而出现一些空穴的一类半导体。
:半导体材料材料受到适当波长的电磁波辐射时,导电性会大幅升高的现象。
:是电磁波的光子能量要〉=半导体的能带间隙值。
:一些半导体材料受到电磁照射时,所产生的非平衡载流子呈现特殊的空间分布,从而形成两个电极,它们之间建立一个电场,具有电位差的现象
:材料的电阻率随温度变化,某些材料随温度下降电阻率
突然减小到零的现象,将具有超导现象的材料称为超导材料。超导材料有很强的抗磁性。:
1)温度条件温度低于某个临界温度T《T0 2)磁场条件:外不辞长不超过某个强度H〈HC 3)电流密度小于临界值
:为了描述磁性介质的磁化状态定义单位体积磁性材料内原子磁矩的矢量总和。

:铁磁体的自发磁化分为若干区域
:在磁场中磁化时,铁磁体的长度或者体积发生变化的现象
29畴与畴之间的边界称为畴壁。
:对反磁化过程的宏观描述,两条反磁化曲线组成的闭合回线
:铁磁体磁化到饱和以后,使它的磁化强度或磁感应强度降低到0所需要的反向磁场
:铁磁体磁化到饱和并去掉外磁场后,在磁化方向保留的Mr或Br称剩磁。Mr剩余磁化强度,Br剩余磁感应强度。
:铁磁体的表面磁场高,向铁磁体的内部磁场逐渐减小的现象
:材料的电阻随外加磁场的变化而变化。按照电阻效应的机理和大小,分为正常磁电阻效应OMR、各向异性磁电阻效应
AMR、巨磁电阻效应GMR
:温度每变化1℃时,电介质介电常数的相对变化率
:电介质单位体积内的点偶极矩的矢量总和
:当电场强度超过某一临界值后,电介质由介电状态变为导电状态的现象。击穿时电压为击穿电压。相应的电场强度称为击穿电场强度。
:在铁电体中引入某种添加物生成固溶体,改变原来的晶胞参数和离子间的相互联系,使居里点向低温或高温方向移动。
:降低居里点处的介电常数的峰值。

:对压电晶体在一定方向上施加机械应力时,在其两端表面上会出现数量相等,符号相反的束缚电荷;作用力相反时,表面荷电性质亦反号,而且在一定范围内电荷密度与作用力呈正比,为正压电效应;反之,在一定方向的电场作用下,则会产生外形尺寸的变化,在一定范