文档介绍：光刻工艺介绍1
General Photolithography Process
涂胶 (Coating)
显影 (Developing)
曝光 (Exposure)
套刻 (Overlay)
前工序
显检 (Inspect)
条宽 (Critical Dimension)
后工序
HMDS
Resist coating
TARC coating
Soft bake
Soft bake
Develop
Post exposure bake
DI Water
Hard bake
涂胶/显影概况
材料
设备
光刻胶
显影液
其他
DNS
TEL
DUV
SPR6812
XHRIC-11
IX925G-14CP
SPR513
Durimide7510
MIR701-29CP
SPR660-
AZ 6130
AZ AQUATAR
AR3-600
MIR701-49CP
UV135
HMDS
EBR 7030
CD26: 5
MF503: 10
HRD-2: 7
涂胶菜单
注:⑴.关键层指:TO、GT、PC、BN+、ROM、W1、VIA、METAL、TU、BC、SGE、SN(MG)、GW(MG)。 ⑵.非关键层指:除关键层次和PAD之外的其他层次。
前处理(PRIMING)
涂胶(APPLY)
软烘(SB)
涂胶基本流程
HP:HOT PLATE IND:INDEXER AH:ADHESION CHAMBER WITH HP
AC:ADHESION CHAMBER WITH CP SC:SPIN COATER TR:TRANSFER UNIT
DNS 涂胶系统图:
AH/AC
AH/AC
HP/HP
HP/HP
IND4
IND3
IND2
IND1
TR
SC
SC
IND
AH
AC
IND
SC
HP
涂胶前处理(Priming)
HMDS 处理
去水烘烤
HMDS
目的:增加圆片衬底与光刻胶的粘附性
原理:将圆片表面状态由亲水性转变为疏水性(亲油性)
化学试剂:HMDS (六***二硅***)
气相涂布方法:高温低真空下的HMDS单片处理模块
确认HMDS的效果用接触角计测量,一般要求大于65度
前处理注意事项:
来片衬底必须是干净和干燥的
HMDS处理后应及时涂胶
HMDS处理不能过度
安全使用HMDS
涂胶(Coating)
涂胶就是采用旋转涂敷的方法,在圆片衬底上均匀的涂上一层一定厚度的光刻胶。
旋转涂敷主要受到以下几个因素的影响,它们彼此作用,或相互增强或相互减弱结果
光刻胶的流动性
光刻胶中树脂成份中分子间的束缚力
旋转离心力
光刻胶溶剂的挥发力
涂胶去边规范:AL、CP层次2-3mm 其他层次1-2mm
☆涂胶的关键在于控制膜厚及其均匀性
影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数:[括号内的值为实际工艺参数设置]
环境温度(23°C)
环境湿度(40%)
排风净压力(5 mmaq)
光刻胶温度(23°C+/-)
光刻胶量(-)
旋转马达的精度和重复性
回吸量
预旋转速度预旋转时间最终旋转速度最终旋转时间最终旋转加速度
涂胶(Coating)
涂胶——均匀性的影响因素(1)