光伏探测器.pptx

文档介绍：第6节光伏探测器
利用半导体光伏效应制作的器件称为光伏探测器,简称PV(Photovoltaic)探测器,也称结型光电器件。
PN结受到光照时,可在PN结的两端产生光生电势差,这种现象则称为光伏效应。
光伏效应:
光伏探测器:
光伏器件
简称PV(Photovolt)
单元器件
线阵器件
四象限器件
1. 光照下的PN结电流方程及伏安特性
电流方程
伏安特性
伏安特性
第一象限:普通二极管
光电探测器这个区域没有意义!!
伏安特性
第三象限:光电导模式
光电二极管这个区域重要意义!!
反向偏压可以减小载流子的渡越时间和二极管的极间电容,有利于提高器件的响应灵敏度和响应频率。
第四象限:光伏模式
光电池工作区域
伏安特性
伏安特性
光电二极管
光电池
普通二极管
等效电路(意义:分析与计算)
电流源
普通二极管
2. 开路电压Uoc和短路电流Isc
负载电阻RL→∞,光伏探测器两端的电压称为开路电压
负载电阻RL=0,流过光伏探测器称为短路电流
--开路电压短路电流
电流方程
暗电流
硅光电二极管暗电流
的温度特性
常温条件下,暗电流
硅光电二极管~100nA
硅PIN光电二极管~1nA
3. 暗电流