文档介绍：PCB沉铜板电培训教材
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高锰酸钾法(KMnO4 Process):
膨松剂(Sweller): a. 功能:软化膨松Epoxy，降低 Polymer 间的键结能，使KMnO4 更
易咬蚀形成 更完全，故Baking 会使结构均一，压板不足处得以
补偿。
b. 多量的氧，氧化了Resin间的Bonding，使咬蚀速率
加剧2~3倍。且使1,2,3 区较均一。
c. 释放Stress，减少产生Void的机会.
PTH-镀通孔
. 制程内主要反应及化学名称:
A．化学反应:
a .主要反应 4MnO4- + 4OH- + Epoxy→ 4MnO4= + CO2↑ + 2H2O
b. 副反应： 2MnO4- + 2OH- ←→ 2MnO4= + 1/2O2 + H2O (Side reaction) MnO4= + H2O (CI-/SO4= /Catalyze Rx.) → MnO2↓ + 2OH- + 1/2 O2
PTH-镀通孔
. 制程内主要反应及化学名称:
(Precipitation formation)
2MnO4= + NaOCl+ H2O → 2MnO4- + 2OH- + NaCl
4MnO4= + NaS2O8 + H2SO4 → 4MnO4- + 2OH- + 2Na2SO4
4MnO4= + K2S2O8 + H2SO4 → 4MnO4- + 2OH- + 2K2SO4
(For Chemical regeneration type process reaction)
2MnO4= + 1/2 O2 + H2O ←→2MnO4- + 2 OH-
(Electrolytic reaction: Need replenish air for Oxyen consumption)
PTH-镀通孔
B. 化学品名称：
MnO4- Permanganate NaS2O8 Sodium Persulfate
MnO4=Manganate S2O4- Sulfate
OH- Hydroxide(Caustic) CO2 Carbon Dioxide
NaOCl Sodium Hydrochloride MnO2 Manganese Dioxide
PTH-镀通孔
Process: 见表
Sequence
Solution
Make Up
Control range
Operation Temp.
Analysis
Dump
1
Sweller
Sweller 55%
45%
Solvent 40-70%
76±2
3 T/W
2
Rinse*3
CT water
45 ± 1st Step
RT 2nd Step
RT 3rd Step
1 T/2D
1 T/2D
1 T/2D
3
KMnO4
101: 85 g/l
102: 6%
101: 70-100g/l
N: 1-
76±2
3 T/W
4
Rinse*3
CT water
45 ± 1st Step
RT 2nd Step
RT 3rd Step
2T/D
2T/D
2T/D
5
Reducer*2
Reducer 10%
H2SO4 5%
Reducer 8-12%
H2SO4 4-7%
RT 1st Step
35 ±3 2nd Step
2T/W
1T/3D
1T/W
6
Rinse*2
CT Water
RT
7
Hot Air
100 ±15
. Pocket Void的解释:
A. 说法一：Sweller残留在Glass fiber中，在Thermal cycle
时爆开。
B. 说法二： 见下图。
PTH-镀通孔
. Pocket Void的解释:
a．压板过程不良，Stress积存，上锡过程中力量释出所致。
b． 在膨涨中如果铜结合力强，而Resin释出Stress方向呈
Z轴方向，当Curing 不良而Stress过大时则易形成a之
断裂，如果孔铜结合力弱则易形成b 之Resin recession