文档介绍：光伏物理
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吸收系数更大,比晶体硅更有
效的吸收光子。
?与单晶硅相比,非晶硅薄膜具有制备工艺简单、成本低且可大面积连续生产的优点。
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材料和制造成本低:衬底廉价、薄膜厚度小、低温制备能耗小。
?易于形成大规模的生产能力
?多品种和多用途:
?易实现柔性电池
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输运态:能面的马鞍点,是氢原子从一个位置移动到另一个位置的
能量,时间低于微秒。
? 浅俘获态:是指氢原子被微弱的束缚,如氢原子处于Si-Si键中间位
置时,它包括键中心位置和反键中心位置的能量。
? 集聚态:是指氢原子相互结合形成H2(),其能量数
值靠近氢的化学势,低于SiH4的形成能(-),接近于扩展片状
氢缺陷或氢化体硅(111)表面的形成能(-~ -)。
? 深俘获态:是指氢与硅的悬挂键结合形成Si-H,其释放需要数秒甚
至更长的时间,这种Si-H在薄膜沉积时就产生了,浓度达到1020cm-3,
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,并对其形成原因及机理进行说明。
非晶硅在长期光照下,其光电导和暗电导同时下降,然后才保持稳定,其中暗电导可以下降几个数量级,从而导致非晶硅太阳电池的光电转换效率降低;然后,在150~200 ℃短时间热处理,其性能又能恢复到原来的状态,这种效应被称为St?ble-Wronski效应(S-W效应)。

氢化的非晶硅锗薄膜(a-SiGe:H)为窄带隙材料,。利用它可提高短路电流和填充因子,在非晶硅电池中一般用于光吸收层。
氢化的非晶硅碳合金薄膜(a-SiC:H)是宽带隙材料,,也可用于宽禁带顶层电池的吸收层。
1、作为太阳电池用的TCO薄膜材料,需要哪些特性?
ITO 透明性、导电性能以及与玻璃的粘结强度均比FTO好
2、请说明你对PIN结优缺点的理解。并根据所学知识,认为哪些工艺方法或结构可对PIN结的性能进行改进,并进行说明。
单室的优点是设备简单,造价低。但由于PIN各层在一个腔室中生长,所以容易造成交叉污染,制得电池的性能较多室技术略低。
? 多室技术的优点就是可避免各层之间的交叉污染,根据设备的结构可分为直列式和团簇
式两种。
单多室结合技术:单室技术镀膜速度快,设备简单,但其一个主要问题是气流不均匀,电池容易出现色差。Oerlikon公司将两种技术加以改进。仍使用一个真空室放置多个样品,但为使气流更加均匀,将每片衬底分开放入一个单片沉积盒,每个沉积盒进气使用匀流板, 从而使得气流更加均匀。
3、三次激光划线的波长大概是多少?为什么要用这种波长的激光。激光划线有哪些工艺要点?
绿色激光-~500-600nm,要将底电极划穿,但尽量不能损伤PIN结,划线要细,连续工艺要点:要将PIN结划穿,但尽量不能损伤TCO顶电极。划线要细,连续。膜面朝下,防止划线掉落的颗粒落在电池表面,影响底