文档介绍：半导体纳米资料的制备方法(精)
半导体纳米资料的制备方法(精)
1/8
半导体纳米资料的制备方法(精)
纲要：议论了目前国内外主要的几种半导体纳米资料的制备工艺技术 ,包含
物理法和化学法两大类下的半导体纳米线阵列的紫外可见汲取光谱表示,跟着半导体纳米线直径减小，其汲取边相关于体相蓝移的幅度增添，显示了显然的量子尺寸效
应。量子尺寸效应是将来微电子、光电子器件的基础,当微电子器件进一步细小化时，一定考虑量子效应。
当用电容率较小的资料修饰半导体纳米资料表面时，带电的半导体纳米粒子发出的电场线很简单穿过电容率比自己小的包覆层。所以，障蔽效应减小，带电粒子间的库仑作使劲加强，结果加强了激子的联合能和振子强度，惹起量子点电子构造变化。量子点中的电子、空穴和激子等载流子受之影响，这类现象称为介电限域效应。关于超微粒子来说，跟着粒径减小，和块体对比红移和蓝移同时
起作用，一般致使蓝移的电子
2空穴空间限域起主导作用，因此主要察看到的为
量子尺寸效应。可是当对超微粒表面进行化学修饰后，假如半导体资料和包覆材
料的介电常数相差较大，便产生显然的介电限域效应
,障蔽效应减弱，半导体材
料和包覆资料的介电常数差值越大,
则介电限域效应越强，红移越大。当表面效
应惹起的能量变化大于因为空间效应所惹起的变化时，超微粒的表观带隙减小，
反响到汲取光谱上就表现出显然的红移现象。刘成林等人
[3]将制得的ZnO/ZnS
胶体作为亚相，在亚相表面滴加硬脂酸***仿溶液
,形成ZnO/ZnS超微粒2硬脂酸
复合单分子层。ZnO/ZnS超微粒表观带隙为
，对应的波长为308nm，
ZnO/ZnS超微粒2硬脂酸复合的表观带隙为
,对应的波长为361nm,相关于
胶体的紫外2可见汲取光谱出现了“红移”现象
,这类现象产生的原由是硬脂酸
单分子膜对超微粒子起着表面修饰作用
,从而出现了介电限域效应,惹起了红移。
这类变化对纳米粒子的应用产生重要影响。
半导体纳米资料的制备方法(精)
半导体纳米资料的制备方法(精)
4/8
半导体纳米资料的制备方法(精)
机械球磨法
半导体纳米资料的制备方法(精)
半导体纳米资料的制备方法(精)
8/8
半导体纳米资料的制备方法(精)
用外面机械力的作用，即经过研球，研磨罐和颗粒的屡次碰撞，颗粒在球磨过程中被频频的挤压、变形、断裂、焊合。跟着球磨过程的持续，颗粒表面的缺点密度增添，晶粒渐渐细化。
采纳球磨方法，控制合适的条件获取纯元素、合金或复合资料的纳米粒子。其特色操作简单、成本低，但产品纯度低，颗粒散布不均匀。
总之，跟着球研磨制备工艺的日趋完美及纳米资料家产化进度，球研磨法作为一种
重要的纳米制备方法将进一步发挥其工艺简单，低成本，高效率的优势 [1]
磁控溅射法
磁控溅射法是在高真空充入适当的氩气，在阴极(柱状靶或平面靶和阳极(镀膜室壁之间施加几百K