文档介绍：一、填空题
E （k）=竺
自由电子的能量与波数的关系式为（ 2mo），孤立原子中的电子能量（大小为
-m q 4
E = o—
n & o h 2 n 2的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续） 的能3） C.
i i i i
约等于E.
i
对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（C）,本征流子浓度（A）,
多子浓度（B）,少子浓度（A）。
最有效的复合中心能级位置在（D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在C ）附近。
E B. E C. E D. E
A D F i
扩散系数反映了载流子在（A）作用下运动的难易程度，迁移率反映了载流子在（B ）
作用下运动的难易程度。
最小电导率出现在（B）型半导体。A. n B. p
电子在晶体中的共有化运动是指（C）。
A. 电子在晶体中各处出现的几率相同。 B. 电子在晶体原胞中各点出现的几率相同。
。。
本征半导体是指（D）的半导体。
质与缺陷
II-VI族化合物中的M空位V是（C）。
m
A. 点阵中的金属原子间隙 B. 一种在禁带中引入施主的点缺陷
C. 点阵中的点阵中的金属原子空位 D. 一种在禁带中引入受主的位错
若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（A）。
A. 处于绝对零度 B. 不含任何杂质 C. 不含任何缺陷 D. 不含施主
Si中掺金的工艺主要用于制造（B）器件。
A. 高可靠性 B. 高频 C. 大功率 D. 高电压
半导体的载流子扩散系数大小决定于其（D）。
A. 复合机构 B. 能带结构 C. 晶体结构 D. 散射机构
a
"八亠 qB “ 2（2兀m*k T）2
13・公式w二——和N = 严 中的m*对于（A）取值相同。
c m* C h 3 n
A. GaAs B. GaP C. Si D. Ge
若用N取代GaP中的一部分P,半导体的禁带宽度（A）;若用As则禁带宽度（C）。
A. 变大 B. 不变 C. 变小
GaAs的导带极值位于布里渊区（D）。
A. <100>方向边界处B. <111>方向边界处C. <110>
重空穴指的是（C）。
A. 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴 B. 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C. 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D. 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空
穴
根据费米分布函数，电子占据（E + kT ）能级的几率（B）。
F0
（E + kT ）（E - kT ）能级的几率
F 0 F 0
FF
对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级E随温度升高而（D）。
F
i
E
i
若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（D）。
A. 本征半导体 B. 金属 C. 化合物半导体 D. 掺杂半导体
公式卩=茫中的e是载流子的（C）。
m*
A. 渡越时间 B. 寿命 C. 平均自由时间 D. 扩散系数
在太空的空间实验室里生长的 GaAS 具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料
（D）。
A. 无杂质污染 B. 受宇宙射线辐射 C. 化学配比合理 D. 晶体完整性好
在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（D）。
A. 禁带较窄 B. 禁带较宽 C. 禁带是间接跃迁型 D. 禁带是直接跃迁型
若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（C）。
.
在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（C ）,称该能带中的空穴为（E ）。
；；；；；
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。
.***杂质
在通常情况下，GaN呈（A ）型结构，具有（C ）,它是（F ）半导体材料。
；；；；；
同