文档介绍：《计算机维修技术》
第7章内存故障维修
教学目标:
通过本章的学****学生将了解内存的类型、特点以及发展历史,掌握内存维修的原则和方法。
教学重点与难点:
存储器的分类
内存条的组成
内存条的主要技术性能
《计算机维修技术》
第7章内存故障维修
教学目标:
通过本章的学****学生将了解内存的类型、特点以及发展历史,掌握内存维修的原则和方法。
教学重点与难点:
存储器的分类
内存条的组成
内存条的主要技术性能
DDRSDRAM(双数据率同步动态随机存储器)
DDR内存在SDRAM基础上改进了技术。DDRSDRAM在时钟
脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据,在不提高时钟频率的情
况下,使数据传输率提高了一倍。
·DDR内存在每个时钟周期中可以存取2个数据;
·DDR内存数据传输频率为200~400MHz;
·DDR芯片容量为128Mbit~1Gbit;
·DDR采用SSTL信号标准,;
·DDRII内存增加到4个数据。
·DDRII提高到400~800MHz。
·DDRII芯片容量为256Mbit~2Gbit。
·DDRII采用SSTL2信号标准,。
ROM的类型
(1)EPROM:可以多次写入数据,写入数据时需要专用设备。
(2)EEPROM:保存数据不需电池,数据存储长达十年之久。
(3)FlashROM:也称为FlashMemory,可在不加电下长期保存
信息。FlashROM普遍用作BIOS芯片,存储容量有1Mbit、
2Mbit、4Mbit等类型。
存储细胞由晶体管和电容组成,可以保存一位二进制数。
DRAM存储细胞电路原理
·在DRAM存储细胞电路中,晶体管M的作用是一个开关器件,
它控制着数据输入线D端到存储电容CS之间的电流通断。当晶
体管M处于闭合(ON)状态时,数据线D端到存储电容CS之间
是连通的。当晶体管M处于断开(OFF)状态时,数据线D端
到存储电容CS之间不能连通。可见晶体管开关M控制着电容CS
的充电和放电。
·电路中存储电容CS的作用是保存数据,当电容CS中充有电荷时,
存储器为逻辑“1”状态,当电容CS中没有电荷时,存储器为逻
辑“0”状态。
·字线WL的作用是控制晶体管M的开关状态,当WL=1时,晶
体管M处于闭合(ON)状态,这时允许在数据线D端进行写
或读操作。当WL=0时,晶体管M处于断开(OFF)状态,这
时数据线D端的信号不能写入或读出,DRAM保持电路的原来
状态。
·数据线D也称为“位线”,他是数据位写入或读出的端点。
SPD芯片
从PC100内存标准开始,内存条上就带有SPD芯片。内存条制
造商将该内存条的基本技术参数预先写入这个SPD芯片。
SPD芯片记录了内存芯片的速度、工作频率、芯片容量、工作
电压、行、列地址、带宽、CL、tRCD、tRP、tAC等参数。
内存条插座
内存条技术规范
内存主要有JEDEC组织和英特尔公司两种技术规范。
内存规范有PC100~PC5300等。
规范规定了内存类型、工作频率、传输带宽等技术参数。
内存条速度技术指标
一是提高内存工作的时钟频率,二是尽量减少各种内存操作过
程中的延时。
内存数据读写的延迟一般用“A-B-C-D”的形式表示,它们分别
对应的参数是:CL-tRCD-tRP-tRAS。
例:“2-2-2-5”,第1个数字代表CL周期为2;第2个数字代表
tRCD周期为2;第3个数字代表tRCD周期为2;第4个数字代表
tRAS周期为5。
(1)内存时钟周期(tCK):值越小内存数据存取速度越快。
(2)数据存取时间(tAC):值越小存取速度越快。
(3)列地址选择延迟(CL):一般有CL2、、CL3等。
(4)RAS相对CAS的延迟(tRCD):值越小内存速度越快。
(5)行预充电有效周期(tRP):值越小内存速度越快。
(6)预充电最短周期(tRAS):值越小内存速度越快。
(7)突发长度(BL):执行一个寻址周期后,连续读写几个数据,
这就是突发周期。
内存突发长度BL一般为4或8,对于显存BL为128~256。
内存选购:
现代256MBDDRII533
内存类型:DDRII
适用机型:台式机内存
内存容量:256MB
工作频率(MHz):533MHz   
价格:95元
宇瞻512MBDDRII800
内存类型:DDRII
适用机型:台式机内存
内存容量:512MB
工作频率(MHz):800MHz   
价格:145元
超胜1GBDDRII800
内存类型:DDRII
适用机型:台式机内存
内存容量:1024MB
工作频率(MHz):800M