文档介绍：1
第十二章驱动电路
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本章内容
第二节驱动电路的隔离技术
第一节对双极性功率晶体管
驱动电路的要求
第三节恒流驱动电路
第四节比例驱动电路
第五节场控器件的驱动电路
双极性功率晶体管驱动电路
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第一节对双极性功率晶体管驱动电路的要求
最佳驱动特性:(Pg267)
:基极电流有快速上升沿和过冲—加速开通减小开通损耗
:饱和导通—低导通损耗;关断前临界饱和导通—减小ts
:足够反向基极电流—抽流,减小ts;反偏截止电压—ic迅速下降,减小tf
★最佳驱动特性和驱动电流波形(Pg267、268)
ib
t
上升沿陡/过冲
合适的饱和深度
反向抽流
图12-1 最佳基极驱动电流波形
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第三节恒流驱动电路
五、典型驱动电路分析
图12-16
光耦隔离
放大
互补驱动
加速电容
抗饱和
提供反流通路
箝位
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第四节比例驱动电路
恒流驱动—基极电流恒定,功率管饱和导通,
(Pg274下)优点:电路简单
缺点:驱动损耗大,存储时间长
★比例驱动—基极电流正比于集电极电流变化
(Pg275上)轻载时不至于深度饱和,避免了ts大的缺点
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第四节比例驱动电路
反激式比例驱动电路
原理:
Q1 on:同名端负,Q off; 只有N1有电流,N1储能,变压器饱和,由R1限流
Q1 off:能量从N1→驱动侧Nb,N1i1=Nbib,驱动Q
Q on, iNf=iC,iC从同名端流进,变压器退饱和,形成正反馈作用,加速导通
Nf与Nb形成比例驱动
icNf=ibNb
Q1 on: Q管暂不关断,同名端电压不变,D导通,短接N2,为ib提供泄放通道,C构成反偏电压,加速关断
Nf
Nb
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本章内容
第二节驱动电路的隔离技术
第一节对双极性功率晶体管
驱动电路的要求
第三节恒流驱动电路
第四节比例驱动电路
第五节场控器件的驱动电路
双极性功率晶体管驱动电路
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第五节场控器件的驱动电路
>10V
,快的上升沿、下降沿
3. 驱动电路内阻抗小
一、驱动电路要求
驱动场控器件时的一些实际考虑(MOS管GS间存在等效电容)
:;
,防止门极过压击穿
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第五节场控器件的驱动电路
二、驱动电路
图12-23
R1的作用(?):
;
Q3的作用:(?)
门极电荷释放,加速关断
简单驱动
PWM
控制IC
限流放电限压
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简单驱动
第五节场控器件的驱动电路