文档介绍：浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计(论文)选题、成绩汇总表
选题
论文编号
选题学生姓名
毕业设计(论文)题目
进行方式(打√)
进行地点(打√)
指导教师
毕业设计(论文)成绩
学号
结合科研课题
结合生产实际
结合创新性实验
结合SRTP
结合综合实践
结合学科竞赛
校外
校内
姓名
职称
1
杨帆
中文:柔性变拓扑LLC变流器的研究
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吕征宇
教授
82
3080100455
英文:Flexible Topology Variation of LLC Converter
2
吴中民
中文: 自适应受控辅助电源研究
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吕征宇
教授
87
3080102366
英文: Adapt Controled DC/DC Converter
3
唐凡森
中文:风机转速跟踪仿真研究
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√
吕征宇
教授
84
3080104775
英文:Tracking of Wind Generator Speed Simulation
填表时间: 2012 年 6 月 6 日填表人签名: 吕征宇教学主任签名: 陈国柱
浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计(论文)选题、成绩汇总表
选题
论文编号
选题学生姓名
毕业设计(论文)题目
进行方式(打√)
进行地点(打√)
指导教师
毕业设计(论文)成绩
学号
结合科研课题
结合生产实际
结合创新性实验
结合SRTP
结合综合实践
结合学科竞赛
校外
校内
姓名
职称
4
仲雪倩
中文: 新型4H-SiC平面型JEET结构的物理建模与验证
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√
盛况
教授
93
3080030035
英文:Physical Modeling and Verification of a Novel 4H-SiC Lateral JFET Structure
5
陈琛
中文: GaN HEMT 在高温高电场工作状态下的可靠性研究
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√
盛况
教授
90
3080100416
英文: Reliability Research for GaN HEMT in High Temperature and High Electronic Field State
6
王柳敏
中文:高压碳化硅功率器件终端结构的设计
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√
盛况
教授
88
3080102655
英文:The Design of the High-Voltage SiC Power Devices’ Terminal structure
7
陈文宪
中文: IGBT多芯片串联技术的研究
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√
盛况
教授
82
3080102763
英文:Research on Power IGBT module of Multi-chip series connection
8
何骏伟
中文: 碳化硅JFET器件结温度特性的研究
√
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盛况
教授
91
3080103124
英文:Research on Junction Temperature of SiC JFET
9
廉玉龙
中文:IGBT模块失效机理的建模
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√
盛况
教授
79
3080104565
英文:Failure Mechanism Modeling of IGBT Power Module
填表时间: 2012 年 6 月 6 日填表人签名: 盛况教学主任签名: 陈国柱
浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计(论文)选题、成绩汇总表
选题
论文编号
选题学生姓名
毕业设计(论文)题目
进行方式(打√)
进行地点(打√)
指导教师
毕业设计(论文)成绩
学号
结合科研课题
结合生产实际
结合创新性实验
结合SRTP
结合综合实践
结合学科竞赛
校外
校内
姓名
职称
10
王汉星
中文: 1200V 4H-SiC功率MOSFET的器件仿真及特性分析
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汪涛
讲师
88
3080100968
英文:Simulation of A 1200V Power MOSFET in 4H-SiC
11
董晓蒙
中文: 肖特基二极管的终端结构设计
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√
汪涛
讲师
71
3080104436
英文: The terminal structure of Schottky diode
填表时间: 2012 年 6 月 6 日填表人签名: 汪涛教学主任签名: 陈国柱
浙江大学电气工程学院2008级本科生毕业设计(论文)选题、成绩汇总表
选题
论文