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光刻技术芯片是信息产业的物质基命,目标是小时。用透镜聚焦,激光器喷出的
础, 当前芯片工业的发展方向还是在不断减小芯片的特粒会聚积在透镜上,生产上要定期更换或清洗透镜。也司
征线宽,从而使芯片的功能增强、速度升高、功耗降低。今以用回旋加速器来产生,但它不是点光源,芯片生产
天大批量生产的芯片的特征线宽已做到~,英最好用点光源。光刻要求完美无缺陷的光掩桉
特尔公司已决心投巨资亿美元改造生产设备和,已在这方面取得稳步进展。
技术, 将芯片生产工艺技术由线宽提高到欧洲各国也积极参加光刻技术商业化的竞争.
。主要有二个研究开发集体:一个是各国工业界参加
决定芯片特征线宽的工艺技术中,光刻是关键。由于,经费由参加的公司和有关政府提供,德国政
光的波粒二象性, 当芯片的特征线宽和光刻用的光波长已拨款万美元,瑞典政府计划拨款万美元;另一
相近时,光刻技术的适用性就成了问题。所以开发光源波个是由欧洲联盟资助的研究网络,参加的主要是六
长更短的新一代光刻技术,就成了世界芯片制造商共同学和研究所,精力集中于基础研究。欧洲的项目主要
关心的问题。是下面的四类:利用光折射的前沿光刻技术;工具集
年,以、、、成:光刻掩模;光源开发。
和五家芯片制造商为骨干的半导体制造商联合光刻技术何时才能用到大批量生产的芯片工业
体, 联合桑地亚国家实验室、利弗莫尔呢最乐观的估计是年。有人估计也许要到至
的劳伦斯国家实验室和伯克利年光刻技术才会用于大生产中,现在几乎整个
的劳伦斯国家实验室组成有限责任公司微电子工业都在关注和支持光刻技术。
,,和布线
技术。是否合理及连线所用材料有重要的关系。布线问题由集
三年前,在全球半导体工业联合体讨论会上,专家们成电路设计中解决;连线所用材料,年以前一直用
预言,下一代光刻技术会从下面的个当中胜出:射线铝,年月开始,、和德克萨斯仪器
光刻、离子投影光刻、直写电子束光刻、电子投影光刻和公司先后将他们自己开发的“铜连线”技术用到芯片生
光刻。经过最近几年的研究开发,除外,其他四产中,由于铜的电阻率比铝的低得多,铜连线和低介电常
新世纪元年电子元器件集锦
· 西安电子科技大学技术物理学院徐毓龙教授·
种光刻技术由于完成光刻过程所需时间太长,芯片产量数绝缘介质相结合,使芯片的性能速度、功耗、可靠性
太低而被淘汰。得到明显的提高,成本得以降低。
是的缩写,英文原意是极短波随着芯片技术的发展,特征线宽越来越小,不但光刻
长紫外线,正在开发中的光刻技术中用的的波技术需要创新,铜连线技术也需要创新:开发出能满足特
长是,实际上是一种软射线。所以确切地说, 征尺寸线宽在以下的新一代铜连线技术。马萨诸
光刻技术是波长的软射线光刻技术,而不是有人塞大学阿默斯特分校的化学工程助理教授..
在某杂志上所称的“无紫外线光刻”。沃金斯年月证明了用超临界相二氧化
专家估计,传统光刻技术可制造的芯片最小线宽为碳改造铜连线工艺的成功。
~,而光刻技术可用来制造线宽的,在这种高压下的是同时具有液态性能能溶解
芯片。年月日,桑地亚国家实验室和劳伦斯国大量其