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(2)根据使用的半导体材料分为:硅管和锗管
(1)根据结构分为:NPN型和PNP型
晶体管的主要类型
N
N
P
发射区
集电区
基区
发射极E(e)
集电极C(c)
发射结JE
集电结JC
基极B(b)
NPN型晶体管结构示意图
NPN型晶体管符号
B(b)
E(e)
T
C(c)
N
N
P
发射区
集电区
基区
发射极E(e)
集电极C(c)
发射结JE
集电结JC
基极B(b)

符号
B(b)
E(e)
T
C(c)
E(e)
发射区
集电区
基区
P
P
N
C(c)
B(b)
JE
JC
结构示意图
集电区
E
B
C
发射区
基区
(1)发射区小,掺杂浓度高。
(具有放大作用的内部条件)
平面型晶体管的结构示意图
(2)集电区面积大。
(3)基区掺杂浓度很低,且很薄。
集电区
E
B
C
发射区
基区
(以NPN型管为例)
依据两个PN结的偏置情况
放大状态
饱和状态
截止状态
倒置状态
晶体管的工作状态
、集电结反向偏置——放大状态
原理图
电路图
+
–
+
–
(1)电流关系

形成发射极电流IE
发射区向基区扩散电子
称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子